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HY3810P-VB 产品详细

产品简介:

一、HY3810P-VB 产品简介

HY3810P-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,封装形式为TO220,设计用于高电压和高电流的应用。该MOSFET 能够承受最大漏源电压100V,提供高达120A的漏极电流。其在10V栅源电压下的导通电阻为5mΩ,确保了极低的功率损耗和优异的热性能。HY3810P-VB 采用先进的Trench技术,提供了卓越的开关性能和高效能量转换,适用于要求高功率和高效率的各种电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、HY3810P-VB 详细参数说明

| 参数 | 说明 |
|-----------------------|-----------------------------------------|
| **封装类型** | TO220 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 100V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **栅阈值电压 (Vth)** | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 5mΩ (@VGS = 10V) |
| **连续漏极电流 (ID)** | 120A |
| **技术** | Trench 沟槽技术 |
| **功耗** | 低导通损耗,高开关效率 |
| **典型应用** | 电源开关、电机驱动、电力放大器等 |

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **高效电源开关**
HY3810P-VB 适合用于高效电源开关模块,如开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器。其高电流承载能力和低导通电阻确保了在高功率条件下的高效能量转换和减少功率损耗,从而提升系统整体效率。

2. **电动机驱动系统**
在电动机驱动系统中,HY3810P-VB 可以作为关键的开关元件,提供稳定的电流控制。其高电流能力和低导通损耗能够有效地驱动高功率电机,提升电动机的性能和系统的可靠性,广泛应用于工业自动化和电动车辆中。

3. **电力放大器**
在高功率电力放大器中,HY3810P-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其成为理想的选择。它能够处理大功率信号和高电压应用,提高放大器的整体效率和稳定性,适合用于音频和射频放大器。

4. **汽车电子系统**
在汽车电子系统中,HY3810P-VB 可用于电动汽车的电池管理和电动机控制。其高电流和高电压能力确保了电池和电动机的高效能和可靠性,提高了汽车电子系统的性能和安全性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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