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HY3704P-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:HY3704P-VB

HY3704P-VB 是一款高电流、高功率处理能力的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。它设计用于高效能电源开关和功率管理应用,具有 40V 的漏源极电压 (VDS) 和 ±20V 的栅极驱动电压 (VGS)。该 MOSFET 的导通电阻极低,能在高电流条件下保持高效率和低功耗。HY3704P-VB 采用先进的沟槽技术,能承受高达 180A 的漏极电流,适合要求高电流和高效能的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:

1. **封装类型**: TO220
2. **配置**: 单 N 沟道
3. **漏源极电压 (VDS)**: 40V
4. **栅极驱动电压 (VGS)**: ±20V
5. **阈值电压 (Vth)**: 3V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流 (ID)**: 180A
8. **技术类型**: 沟槽技术 (Trench)
9. **最大功耗**: 300W
10. **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
11. **栅极电荷 (Qg)**: 300nC
12. **反向恢复时间 (trr)**: 50ns

领域和模块应用:

应用领域与模块示例:

1. **高效电源开关**:HY3704P-VB 适用于高效电源开关模块,例如 DC-DC 转换器和开关电源 (SMPS)。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高功率应用中提供卓越的效率,减少能量损耗,提升系统性能。

2. **电机控制系统**:在电机驱动系统中,HY3704P-VB 能够处理大电流负载,非常适合用于电动工具、电动汽车驱动模块等。它的高电流承载能力和低导通电阻确保了电机的稳定运行和高效控制。

3. **电池管理系统 (BMS)**:该 MOSFET 可以用于电池管理系统,特别是在电动汽车和储能系统中。它的高电流处理能力和低导通电阻使其能够精确控制电池的充电和放电过程,优化电池性能和延长使用寿命。

4. **汽车电子**:HY3704P-VB 适用于汽车电子设备中的高功率开关应用,如电动座椅控制、电动窗户和电源管理模块。其高效能和可靠性使其在各种汽车电子系统中表现优异。

5. **功率逆变器**:在光伏系统和不间断电源 (UPS) 中,HY3704P-VB 可以作为功率逆变器的关键组件。它能够处理高电流和高功率,确保系统的高效能和稳定性,支持长时间可靠的电能转换。

HY3704P-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在各种高功率应用中提供出色的性能,适合需要高效能和稳定性的电源管理和开关应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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