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HY3006C2-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:HY3006C2-VB
HY3006C2-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8 (5x6mm) 封装,专为中高功率应用设计。该器件具有 60V 的漏源极耐压 (VDS) 和 ±20V 的栅极驱动电压 (VGS),能够提供高效的开关性能。HY3006C2-VB 基于先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻 (RDS(ON)) 和高电流承载能力,适合需要高开关频率和高效能的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A 6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明:
1. **封装类型**: DFN8 (5x6mm)
2. **配置**: 单 N 沟道
3. **漏源极电压 (VDS)**: 60V
4. **栅极驱动电压 (VGS)**: ±20V
5. **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 7mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流 (ID)**: 80A
8. **技术类型**: 沟槽技术 (Trench)
9. **最大功耗**: 120W
10. **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
11. **栅极电荷 (Qg)**: 65nC
12. **反向恢复时间 (trr)**: 40ns

领域和模块应用:

应用领域与模块示例:
1. **高效电源转换器**:HY3006C2-VB 适用于高效电源转换应用,如 DC-DC 转换器和开关电源 (SMPS)。其低导通电阻和高电流能力使其在高功率和高频切换操作中表现出色,提升整体系统效率。

2. **电机驱动系统**:在电机驱动模块中,该 MOSFET 可以处理高电流负载,适用于电动机控制系统,提供稳定的功率传递和高效的开关性能,确保电机的可靠运行。

3. **电池管理系统**:在电池管理系统中,HY3006C2-VB 能够有效控制充电和放电过程,提高系统的能效和可靠性,适用于电动车、储能系统及其他需要高效能量管理的应用。

4. **LED 驱动器**:用于高功率 LED 驱动器中,该 MOSFET 提供稳定的电流,帮助提高 LED 照明系统的性能和效率,确保系统长期稳定运行。

5. **汽车电子**:在汽车电子应用中,HY3006C2-VB 适用于高功率开关模块,如电动窗户控制、电动座椅调节等,能够在恶劣环境条件下提供可靠的电源管理解决方案。

HY3006C2-VB 的低导通电阻和高电流处理能力,使其在中高功率应用中表现优异,确保系统的高效能和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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