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HY3003P-VB 产品详细

产品简介:

一、HY3003P-VB 产品简介
HY3003P-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽(Trench)技术,封装形式为TO220。该MOSFET 以其优异的电气性能,尤其是低导通电阻和高电流处理能力,适合于高效能的电源管理和负载开关应用。其设计旨在提供高开关速度和低功耗,广泛应用于高功率电子设备中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、HY3003P-VB 详细参数说明
- **封装形式**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4mΩ@VGS=4.5V,3mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: 沟槽(Trench)技术

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例
1. **电源开关**:HY3003P-VB 因其极低的导通电阻和高电流承载能力,非常适用于电源开关模块。在DC-DC转换器、开关电源和其他电源管理应用中,这款MOSFET能够提高系统的转换效率和减少功耗,提升整体性能。

2. **电机驱动**:在电机驱动应用中,HY3003P-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其适合驱动高功率电机。适用于电动工具、电动汽车以及工业自动化设备中的电机控制系统,能够保证电机运行稳定且高效。

3. **负载开关**:作为负载开关,HY3003P-VB 可广泛应用于智能家居、电池管理系统及计算机外围设备中。其优异的电流处理能力和低导通电阻可以确保高效的负载切换和长寿命。

4. **功率转换和放大**:在功率转换和放大模块中,如高功率音响系统和功率放大器中,HY3003P-VB 的低导通电阻和高电流能力使其能够高效处理大功率信号,确保系统稳定运行。

HY3003P-VB 的出色电气性能和可靠性使其成为多个高功率应用领域的理想选择,为各种高效能和高电流应用提供了稳定的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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