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HY1910C2-VB 产品详细

产品简介:

一、HY1910C2-VB 产品简介
HY1910C2-VB 是一款出色的单N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽(Trench)技术,封装形式为DFN8(5x6)。这款MOSFET拥有优异的电气性能,特别适合高电压和高电流应用。其低导通电阻和高电流处理能力,使其成为现代电源管理和负载开关应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、HY1910C2-VB 详细参数说明
- **封装形式**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 12.36mΩ@VGS=4.5V,9mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 65A
- **技术**: 沟槽(Trench)技术

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例
1. **高效电源管理**:HY1910C2-VB 由于其高漏源电压和低导通电阻,非常适合用于高效电源管理系统。特别是在DC-DC转换器和电源模块中,这款MOSFET可以提供卓越的开关性能和低功耗,帮助提升整体能效。

2. **电机驱动**:在电机驱动应用中,HY1910C2-VB 的高电流承受能力和低导通电阻使其成为驱动高功率电机的优选。例如,在工业电机控制、电动汽车及高功率电动工具中,这款MOSFET可以确保电机运行稳定且高效。

3. **负载开关**:HY1910C2-VB 适用于各种负载开关应用,包括智能家居、计算机外围设备等。其高电流处理能力和低导通电阻能够有效控制大功率负载,提升系统的可靠性和性能。

4. **通信设备**:在通信设备的电源管理和功率开关模块中,HY1910C2-VB 的低导通电阻和高电压能力使其成为理想选择。它可以帮助减少功耗,提高设备的功率密度,特别适合用于基站电源和其他高效能通信系统中。

HY1910C2-VB 的卓越性能和稳定性使其在多种高要求应用中表现优异,确实是高电压和高电流应用的理想解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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