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HY1908C2-VB 产品详细

产品简介:

一、HY1908C2-VB 产品简介

HY1908C2-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5x6)封装,专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压为80V,适用于要求较高电压耐受能力的场合。该MOSFET 在4.5V的栅源电压下具有7mΩ的导通电阻,而在10V下为5mΩ,这使其在高电流负载下具有较低的能量损耗。其最大漏极电流为60A,确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。HY1908C2-VB 采用Trench技术,提供了优异的开关性能和高效能量转换能力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 80V 3V 60A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 80V 3V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 80V 3V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、HY1908C2-VB 详细参数说明

| 参数 | 说明 |
|---------------------|-----------------------------------------|
| **封装类型** | DFN8(5x6) |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 80V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **栅阈值电压 (Vth)** | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 7mΩ (@VGS = 4.5V) |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 5mΩ (@VGS = 10V) |
| **连续漏极电流 (ID)** | 60A |
| **技术** | Trench 沟槽技术 |
| **功耗** | 低导通损耗,高开关效率 |
| **典型应用** | 电源管理、汽车电子、电动工具等 |

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **电源管理系统**
HY1908C2-VB 在电源管理应用中表现出色,尤其适用于DC-DC转换器和电源供应模块。其低导通电阻和高电流处理能力确保了高效的能量转换,减少了功率损耗,提升了整体系统效率。

2. **汽车电子**
在汽车电子系统中,HY1908C2-VB 可用于电动汽车的电池管理系统和电动机驱动器。其高电流能力和低导通电阻能够有效地提高电池和电动机的运行效率,增强汽车电子系统的稳定性和可靠性。

3. **工业自动化设备**
在工业自动化领域,HY1908C2-VB 适用于电机控制、驱动模块和电源开关等应用。其优异的电流承载能力和低损耗特性使其非常适合用于各种高功率自动化设备,确保高效的电能传输和控制。

4. **高性能电动工具**
在高功率电动工具中,HY1908C2-VB 可以作为开关元件使用。其高电流处理能力和低导通电阻有助于实现高效的电力传输,降低工具的能量损耗,提高工具的工作性能和寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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