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HY1720P-VB 产品详细

产品简介:

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HY1720P-VB 是一款采用 TO220 封装的单 N 沟道 MOSFET。该器件具有出色的导通电阻性能和电流处理能力,适用于高压应用。其 VDS 为 200V,能够承受较高的电压,而其最大漏极电流为 50A,能有效支持大电流的应用场景。此外,该产品采用了先进的沟槽型(Trench)技术,使其在低导通电阻(46mΩ@VGS=10V)的条件下提供更高的效率和可靠性,非常适合功率转换和开关电源等应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
参数说明:
- **型号**:HY1720P-VB
- **封装**:TO220
- **极性**:单 N 沟道
- **漏源击穿电压 (VDS)**:200V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:46mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:50A
- **技术**:沟槽型 (Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块:
1. **电动汽车(EV)充电模块**:在电动汽车充电过程中,要求 MOSFET 具备高效能和可靠的电流处理能力。HY1720P-VB 因其 200V 的漏源电压和 50A 的大电流支持,能够在电动汽车充电系统中作为开关元件,有效控制电流传输,从而提高充电效率和系统的稳定性。

2. **开关电源 (SMPS)**:在开关模式电源中,MOSFET 需要高效的开关特性和低导通电阻。HY1720P-VB 的 46mΩ 低导通电阻使其能够减少电源的能量损耗,适合用于 200V 以内的电源转换器、电源适配器等高效能开关电源系统中。

3. **电机驱动**:对于要求高压和高电流的电机控制系统,HY1720P-VB 提供了良好的开关特性和较低的功耗,特别是在工业自动化和电动工具中广泛应用。该器件可作为 H 桥驱动器中的主开关元件,有效控制电机的转速与方向。

4. **光伏逆变器**:HY1720P-VB 适用于光伏逆变器中的 DC-AC 转换模块,在光伏发电系统中,该 MOSFET 能承受较高的直流电压并处理较大电流,帮助实现高效的电能转换和输出。

该器件因其高电压支持和低导通损耗,在高效能电源管理、电流控制和电力转换模块中都有重要的应用价值。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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