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HY15P03C2-VB 产品详细

产品简介:

一、HY15P03C2-VB 产品简介

HY15P03C2-VB 是一款高性能单P-沟道MOSFET,封装为DFN8(5X6)。该MOSFET具备-30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),采用了先进的沟槽(Trench)技术,提供了低导通电阻和高电流处理能力。其阈值电压(Vth)为-3V,使得该器件能够在较低的栅源电压下稳定工作,适合各种需要高效能和高功率密度的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -3V -120A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -3V -120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-P -30V -3V -120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-P
二、HY15P03C2-VB 详细参数说明

1. **封装类型**: DFN8(5X6)
2. **极性配置**: 单P-沟道
3. **漏源电压(VDS)**: -30V
4. **栅源电压(VGS)**: ±20V
5. **阈值电压(Vth)**: -3V
6. **导通电阻(RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流(ID)**: -120A
8. **技术类型**: 沟槽技术(Trench)

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

HY15P03C2-VB MOSFET因其高电流处理能力和低导通电阻,在以下领域和模块中表现出色:

1. **电源管理**: 在电源管理系统中,如高效的DC-DC转换器和AC-DC电源供应,这款MOSFET能够作为高效的开关元件,提供稳定的电源转换,减少能量损耗,提高系统效率。其低导通电阻确保了在高电流下的高效能表现。

2. **电动汽车**: 在电动汽车应用中,如电池管理系统和电动驱动系统,HY15P03C2-VB的高电流能力和低导通电阻使其能够有效处理高功率负载,提升电动汽车的整体性能和可靠性。

3. **逆变器**: 在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)等逆变器系统中,该MOSFET能够提供稳定的开关控制,处理大电流负载,确保逆变器的高效能和稳定运行。

4. **功率开关**: 在高功率开关应用中,如功率放大器和电机驱动系统,HY15P03C2-VB的低导通电阻和高电流处理能力使其能够在高功率负载下高效地进行开关控制,提升系统的整体性能和可靠性。

这些应用展示了HY15P03C2-VB在高功率、高效能需求场合的广泛适用性,特别是在高电流和低导通电阻的要求下,其性能优势得到充分体现。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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