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HUFA76439P3-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:HUFA76439P3-VB

HUFA76439P3-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO220封装。这款MOSFET设计用于高电流和高效率应用,具有60V的漏源电压(VDS)和高达60A的连续漏极电流(ID)。它采用先进的沟槽(Trench)技术,提供极低的导通电阻(RDS(ON)),从而优化开关效率和降低功耗。该MOSFET特别适合要求高性能和高稳定性的电子电路和功率管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **通道配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID)**:60A
- **技术类型**:沟槽(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

HUFA76439P3-VB MOSFET由于其高电流处理能力和低导通电阻,适用于以下领域和模块:

1. **电源转换和管理**:在高效能DC-DC转换器中,MOSFET的低导通电阻和高电流能力可以显著提升能量转换效率,减少功耗和热量,确保电源模块的稳定运行。

2. **电动汽车电池管理系统(BMS)**:由于其优异的电流处理能力和低导通电阻,HUFA76439P3-VB适用于电动汽车的电池管理系统,可以有效地控制电池充放电过程,确保系统的安全和效率。

3. **高功率LED驱动器**:在高功率LED照明系统中,该MOSFET能够以较低的功耗提供高电流支持,确保LED灯具的稳定性和长寿命,同时降低系统的热量产生。

4. **工业电机驱动**:由于其高电流处理能力和低导通电阻,这款MOSFET适合用于工业电机驱动应用中,提供可靠的电机控制和高效的能量转换。

5. **开关电源(SMPS)**:在开关电源模块中,HUFA76439P3-VB能够高效地开关大电流,适用于各种电源模块的设计,帮助实现高效的电能转换和管理。

通过这些应用示例,可以看到HUFA76439P3-VB MOSFET在高电流、高效率的电源和功率管理应用中具有广泛的适用性,能够提供优异的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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