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HUF76413P3-VB 产品详细

产品简介:

HUF76413P3-VB MOSFET 产品简介

HUF76413P3-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO-220 封装,专为中高压应用设计。其漏极-源极电压 (VDS) 为 60V,栅极-源极电压 (VGS) 可达 ±20V。该 MOSFET 的栅极阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保在较低的栅极驱动电压下即可开启。HUF76413P3-VB 采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻 (RDS(ON)),分别为 28mΩ @ VGS = 4.5V 和 24mΩ @ VGS = 10V,漏极电流 (ID) 可达到 50A。这种设计使其非常适合需要高电流和中等电压处理能力的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A 24mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
HUF76413P3-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-220
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 24mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术类型**: Trench 技术

领域和模块应用:

HUF76413P3-VB 应用领域和模块

HUF76413P3-VB MOSFET 由于其优越的性能,适合于多种应用领域,以下是一些具体的应用场景:

1. **电源管理系统**: 在高效电源管理系统中,例如开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,HUF76413P3-VB 可以作为开关器件使用。其低导通电阻帮助减少功率损耗,提高整体系统的效率,特别适合中等电压的应用环境,如服务器电源和工业电源模块。

2. **电机驱动控制**: 该 MOSFET 的高电流承载能力使其在电机驱动和控制应用中表现出色。无论是用于小型电动工具、电动车辆还是自动化设备中的电机控制,HUF76413P3-VB 能够提供稳定的性能,确保电机的高效运行和长时间可靠性。

3. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,如电池管理系统 (BMS) 和电动助力转向系统 (EPS),HUF76413P3-VB 能够提供高电流和高可靠性。其设计能够承受较高的电压和电流,确保在恶劣的汽车环境中稳定工作。

4. **功率开关**: 在需要高功率开关的应用中,如大功率灯光控制和高功率负载开关,HUF76413P3-VB 的高电流能力和较低的导通电阻使其成为理想的选择。其可靠的开关性能和较低的热量产生可以提高系统的安全性和稳定性。

HUF76413P3-VB 的高电流处理能力和中等电压范围使其在这些应用领域中能够提供高效能和可靠性,满足各类高功率和高效能要求的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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