HRP120N10K-VB - VBsemi MOS管制造商

HRP120N10K-VB 产品详细

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产品简介：

HRP120N10K-VB 产品简介

HRP120N10K-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装为TO220。它具有100V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），以及1.8V的开启电压（Vth）。此器件的导通电阻为127mΩ@VGS=10V，能够在最大连续漏极电流为18A的条件下工作。HRP120N10K-VB 采用了高效的Trench技术，这使得它在高频开关应用中具有极低的导通电阻和优秀的开关特性，非常适合需要高效能量转换的电路设计。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	100V		1.8V	18A			127mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	100V		1.8V	18A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	100V		1.8V	18A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

HRP120N10K-VB 详细参数说明

- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道（Single-N-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：127mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：18A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

HRP120N10K-VB 应用领域与模块

HRP120N10K-VB MOSFET 由于其低导通电阻和高电流承载能力，非常适合用于**开关电源**（SMPS）中，包括AC-DC和DC-DC转换器。这使得它在**电源管理模块**中，特别是需要高效能量转换和低能量损耗的场合，发挥重要作用。在**电机驱动**系统中，它可以用作逆变器的开关元件，帮助提高系统的效率和可靠性。此外，HRP120N10K-VB 还适用于**功率调节器**和**电池管理系统**，如在电动汽车（EV）的充电和放电过程中，能够确保稳定和高效的电流传输。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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