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HRFZ44N-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**HRFZ44N-VB**是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO-220封装,专为需要高电流和低导通电阻的应用设计。该器件具有60V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源极电压(VGS),可以在广泛的电压范围内稳定运行。其开启电压(Vth)为1.7V,显示出良好的开关性能。在VGS=4.5V时,导通电阻(RDS(ON))为13mΩ,而在VGS=10V时,RDS(ON)更低,为11mΩ,这表明该MOSFET具有优异的导通性能和低导通损耗。最大持续漏极电流(ID)为60A。HRFZ44N-VB采用Trench技术,确保了高效率和可靠的性能,适合各种高功率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
参数说明

1. **型号**: HRFZ44N-VB
2. **封装类型**: TO-220
3. **配置**: 单N沟道(Single-N-Channel)
4. **漏源极电压(VDS)**: 60V
5. **栅源极电压(VGS)**: ±20V
6. **开启电压(Vth)**: 1.7V
7. **导通电阻(RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
8. **最大漏极电流(ID)**: 60A
9. **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**HRFZ44N-VB**因其优良的电气性能和高电流能力,特别适合在以下领域和模块中使用:

1. **电源转换器**: 在开关电源和DC-DC转换器中,HRFZ44N-VB的低导通电阻和高电流处理能力使其成为理想的开关器件,能够有效减少功率损耗和提高系统效率,适用于计算机电源、工业电源和充电器等应用。

2. **电机驱动系统**: 在电机控制模块中,该MOSFET可以提供稳定的电流控制和高效的开关性能,适用于电动工具、电动自行车以及工业自动化中的电机驱动。

3. **功率放大器**: 在音频功率放大器和其他高功率放大器应用中,HRFZ44N-VB能够有效地处理高电流,确保稳定的性能和低热量生成,适用于音响设备和无线通信系统。

4. **照明控制**: 在LED驱动电路中,该MOSFET能够提供低导通损耗,保证高效的能量转换和长寿命应用,适用于LED照明、灯光控制系统等。

**HRFZ44N-VB**在这些应用中表现出色,能够提供可靠的性能和高效的运行,满足高电流和高功率需求的各种场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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