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HMS8N70-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**HMS8N70-VB** 是一款高压、低 RDS(ON) 的 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。这款 MOSFET 具有 700V 的最大漏极-源极电压 (VDS) 和 ±30V 的最大栅极-源极电压 (VGS)。它的阈值电压 (Vth) 为 3.5V,漏源电阻 (RDS(ON)) 为 600mΩ(在 VGS = 10V 时)。其最大连续漏极电流 (ID) 为 10A。采用 SJ_Multi-EPI 技术,有助于实现高电压、大电流下的稳定性和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A 600mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 700V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **漏源电阻 (RDS(ON))**: 600mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

**1. 电源转换器**
HMS8N70-VB 可用于高压电源转换器中的开关元件,能够在高电压和高电流条件下工作。它的高 VDS 和低 RDS(ON) 能有效降低导通损耗,提升转换效率。

**2. 电机驱动器**
在电机驱动器中,这款 MOSFET 能提供稳定的开关控制,尤其适用于需要高电压和中等电流的应用场景。它的高耐压特性使其能够适应电机启动时的高电压脉冲。

**3. 高压电池管理系统**
在高压电池管理系统中,HMS8N70-VB 可以作为电池开关和保护电路中的关键组件。其高 VDS 和可靠的耐压能力能够确保在充电和放电过程中有效地控制电流,保护电池免受过压和过流的影响。

**4. 交流到直流电源 (AC-DC) 适配器**
这款 MOSFET 适用于 AC-DC 适配器中的高压开关环节。它的低 RDS(ON) 能减少功耗,提高整体效率,尤其适合高功率输出的适配器应用。

**5. 逆变器**
在逆变器应用中,HMS8N70-VB 可用于转换直流电源为交流电源。其高电压耐受能力和低导通电阻使其适合处理逆变器中的高电压和高电流负载。

这款 MOSFET 的设计使其在需要高电压、大电流及高效率的应用中表现出色,满足了各种电子产品的高性能需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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