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HMS60N06D-VB 产品详细

产品简介:

HMS60N06D-VB MOSFET 产品简介

HMS60N06D-VB 是一款高性能单极N沟道MOSFET,封装形式为DFN8 (5x6),设计用于高效能和高密度应用。它具有60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),能够处理高达80A的最大连续漏极电流(ID)。该MOSFET的导通电阻在VGS=10V时为6mΩ,在VGS=4.5V时为7mΩ,采用了Trench技术,提供了优异的开关性能和低导通损耗。HMS60N06D-VB 适用于需要高电流和高效率的开关和电源管理电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A 6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
HMS60N06D-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装形式**: DFN8 (5x6)
- **沟道配置**: 单极N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 7mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 80A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

HMS60N06D-VB 的应用领域及模块

1. **DC-DC转换器**: HMS60N06D-VB 非常适用于DC-DC转换器中的开关元件,尤其是在高电流和高效率的应用场景中。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为电源转换器中的理想选择,能够在提供高效转换的同时减少功耗。

2. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,该MOSFET可以用于开关电路和电流保护。其低RDS(ON)值和高电流能力确保了电池的高效充放电和保护功能,适用于各种电池组和充电管理系统。

3. **电机控制**: HMS60N06D-VB 适合用于电动机驱动系统,如电动工具和工业电机控制。它的高电流处理能力和低导通损耗有助于实现高效的电机控制,确保电动机的稳定运行和高效性能。

4. **LED驱动电路**: 在LED驱动应用中,该MOSFET 可以作为高效开关元件,特别是在高功率LED灯具和照明系统中。它的低导通电阻和高电流处理能力有助于提高照明系统的整体效率和可靠性,适合用于街道照明、工业照明等场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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