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HM9N70-VB 产品详细

产品简介:

HM9N70-VB MOSFET 产品简介

HM9N70-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。它具有极高的耐压能力,最大漏源电压(VDS)高达 700V,适用于高压应用场景。这款 MOSFET 使用 SJ_Multi-EPI(超结多层外延)技术,具备良好的导通性能和开关速度,适合高效能转换器和电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A 1100mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:700V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:5A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI(超结多层外延)

领域和模块应用:

应用领域及模块示例

1. **开关电源 (SMPS)**:HM9N70-VB 适用于中高压开关电源中的主开关管。其 700V 的高耐压特性确保了在高压输入场景中的安全和稳定性,同时 SJ_Multi-EPI 技术则提供了更低的导通损耗和更快的开关速度,从而提高了电源效率。

2. **电机驱动器**:在电机驱动应用中,HM9N70-VB 可以作为逆变器模块中的主要开关元件。其高耐压能力和较低的导通电阻使其能够有效地控制电机的开关频率,提供更好的性能和更低的功耗。

3. **高压逆变器**:在光伏发电和不间断电源 (UPS) 系统中,HM9N70-VB 常用于高压逆变器模块。其 700V 的 VDS 确保了在高压转换场景中的稳定运行,而其较低的 RDS(ON) 有助于减少导通损耗,提升系统效率。

HM9N70-VB 是一款性能优越的 MOSFET,适用于多种高压应用场景,为需要高效电能转换和管理的系统提供可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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