HM9435B-VB - VBsemi MOS管制造商

HM9435B-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

产品简介

**HM9435B-VB** 是一款高性能的 P-Channel MOSFET，采用 SOP8 封装，具有先进的 Trench 技术。它的最大漏源电压（V_DS）为 -30V，能够在较高的栅极驱动电压（V_GS）下稳定工作。此 MOSFET 特别适用于需要低导通电阻和高电流处理能力的应用场景。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-5.8A			33mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-5.8A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-5.8A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-P

详细参数说明

- **封装**: SOP8
- **配置**: Single-P-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: -30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: -1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 56mΩ @ V_GS = 4.5V
- 33mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**: -5.8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块举例

1. **电源管理**: HM9435B-VB 的低导通电阻使其非常适合用于高效的电源管理模块中，如 DC-DC 转换器。它能够提供高电流能力，并减少功耗，从而提高整个系统的效率。

2. **负载开关**: 在负载开关应用中，此 MOSFET 能够处理负载的开关操作，保证低导通电阻带来的低功耗损失。这使得它在便携式设备或电池供电设备中表现尤为出色。

3. **电机驱动**: 在电机驱动模块中，HM9435B-VB 可以用作高侧开关，控制电机的启动和停止。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电机驱动系统的稳定性和效率。

4. **功率转换器**: 由于其优良的电流处理能力和低导通电阻，此 MOSFET 也广泛应用于功率转换器，如逆变器和充电器，以确保在高电流条件下的稳定工作。

这些特点使 HM9435B-VB 成为多种电子应用中的理想选择，特别是在要求高效率和低功耗的场景中。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

HM9435B-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶