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HM4830-VB 产品详细

产品简介:

HM4830-VB MOSFET 产品简介

HM4830-VB是一款采用SOP8封装的双N沟道MOSFET,专为低压功率开关应用设计。该器件具备卓越的导通电阻特性和高速开关能力,适用于对效率和散热要求较高的场景。通过采用Trench技术,HM4830-VB在较低的栅极驱动电压下能够实现极低的导通电阻,从而降低系统的功耗,提升整体性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 25A 2.6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 25A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 25A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
HM4830-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **沟道配置**:Dual-N+N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3.5mΩ @ VGS=4.5V
- 2.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:25A
- **技术类型**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

HM4830-VB MOSFET适用于各种需要高效电源管理和快速开关的应用领域和模块。以下是几个典型的应用示例:

1. **DC-DC转换器**:在降压或升压转换器中,HM4830-VB能够通过其低导通电阻和高电流承载能力有效降低功率损耗,从而提高转换效率。

2. **电机驱动器**:适用于低电压电机驱动器,如风扇、电动工具等。在这些应用中,MOSFET的快速开关特性和低导通损耗可帮助实现更高的能效和更长的电池寿命。

3. **电池管理系统 (BMS)**:在电池保护和电源切换模块中,HM4830-VB的低栅极驱动电压要求和高开关速度使其成为理想的选择,特别是在电动汽车和储能系统中。

4. **负载开关**:在需要控制高电流负载的场景下,该器件的高电流承载能力使其能够可靠地管理和保护负载电路,如工业控制和家电应用中的高功率负载管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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