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HM4826-VB 产品详细

产品简介:

一、HM4826-VB 产品简介

HM4826-VB 是一款双 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。该 MOSFET 具有双 N 沟道配置,使其在各种电子应用中具有高效的开关性能。它的最大漏源电压(VDS)为 60V,支持 ±20V 的栅极电压(VGS)。阈值电压(Vth)为 1.7V,使其在较低的栅电压下即可导通,适合低电压开关应用。HM4826-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 15mΩ,在 VGS=10V 时为 12mΩ,表明它在不同栅电压下均能提供低导通电阻,减少功耗。最大漏极电流(ID)为 10A,适合处理中等电流负载。HM4826-VB 采用 Trench 技术,具有优良的开关特性和高效能,广泛应用于电源管理和开关电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 10A 12mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 60V 1.7V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
二、HM4826-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术类型**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **封装形式**: SOP8

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

HM4826-VB 的低导通电阻和适中的电流处理能力使其在多种电子应用中表现优异。以下是几个典型的应用场景:

- **电源管理**: 在电源管理系统中,HM4826-VB 可用于高效的电源开关和电源转换。它的低导通电阻和较高的电流处理能力使得它在 DC-DC 转换器中可以减少功耗并提高效率,特别是在中等功率需求的电源模块中。

- **负载开关**: 该 MOSFET 可以作为负载开关,用于控制电流流向高电流负载。例如,在电池供电的系统中,HM4826-VB 可以用来开关电池与负载之间的连接,提高整体系统的能效。

- **直流电机驱动**: 在直流电机驱动应用中,HM4826-VB 可用于电机的开关控制。其低导通电阻帮助减少开关损耗,提高电机控制系统的效率,特别适合于小型至中型电机的驱动应用。

- **汽车电子**: 在汽车电子中,HM4826-VB 可用于各种开关控制和电源管理应用。由于其优良的导通性能和较高的电流处理能力,它适合用于汽车的电源开关和电动控制系统中。

- **消费电子**: 在消费电子产品如笔记本电脑、智能手机等中,HM4826-VB 可用于电源管理、负载开关等应用。它的高效性能和低导通电阻使其能够在这些设备中提供可靠的开关功能,优化电池使用和功耗管理。

- **通信设备**: 在通信设备中,HM4826-VB 可用于电源开关和功率放大器的开关控制。其稳定的开关性能和低导通电阻有助于提升通信设备的总体效率和可靠性。

这些应用展示了 HM4826-VB 在处理中等电流负载时的高效能,使其成为各种电子设计和电源管理方案的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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