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HM4806B-VB 产品详细

产品简介:

一、HM4806B-VB 产品简介

HM4806B-VB 是一款双 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。它具有双 N 沟道配置,适用于低电压应用,支持最高 20V 的漏源电压(VDS)。该 MOSFET 的栅极电压(VGS)范围为 ±20V,阈值电压(Vth)在 0.5V 至 1.5V 之间,适合于低栅电压开关应用。HM4806B-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 4.7mΩ,在 VGS=10V 时为 3.8mΩ,表明它在较低栅电压下仍能提供低导通电阻,从而降低功耗。最大漏极电流(ID)为 19.8A,使其适合用于高电流应用。HM4806B-VB 采用 Trench 技术,具有优良的导通性能和开关特性,广泛应用于电源管理和开关电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 19.8A 3.8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 19.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 19.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
二、HM4806B-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.7mΩ @ VGS=4.5V
- 3.8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 19.8A
- **技术类型**: Trench 技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **封装形式**: SOP8

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

HM4806B-VB 的低导通电阻和高电流能力使其适合用于各种电子设计和电源管理应用。以下是几个典型的应用场景:

- **电源管理**: HM4806B-VB 可以用于电源开关和电源管理模块。其低导通电阻使得它在开关电源中具有高效率,适合用于高功率的电源转换和稳压应用,帮助减少能量损耗。

- **负载开关**: 该 MOSFET 可作为负载开关,用于控制高电流负载的通断。例如,在电池供电的设备中,HM4806B-VB 可用来控制电池与负载之间的电流流动,提高系统的整体效率。

- **电机驱动**: 在电机驱动电路中,HM4806B-VB 可用来实现高效的开关控制,特别是在需要处理高电流的直流电机应用中。其低导通电阻有助于减少开关损耗,提高驱动系统的效率。

- **DC-DC 转换器**: 该 MOSFET 适用于 DC-DC 转换器中的开关控制,特别是在低电压和高电流的转换器设计中。它能够有效地开关电流,提供高效的能量转换。

- **汽车电子**: 在汽车电子中,HM4806B-VB 可用于电源管理、电机控制和负载开关等应用。由于其高电流处理能力和低导通电阻,它可以在汽车的电源系统中提供稳定的性能。

- **消费电子**: 在各种消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机等,HM4806B-VB 可以用于电源管理和开关应用,帮助提高设备的能效和性能。

这些应用展示了 HM4806B-VB 在处理高电流、低电压开关中的灵活性和高效能,使其成为多种电子设计和电源管理方案的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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