产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P |
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二、HM4622-VB 详细参数说明
1. **封装类型**: SOP8
2. **沟道配置**: 双N沟道 + 双P沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: ±30V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
5. **阈值电压 (Vth)**:
- N沟道: 1.6V
- P沟道: -1.7V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N沟道:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- P沟道:
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流 (ID)**: ±8A
8. **技术类型**: Trench
9. **最大功耗 (Ptot)**: 1.25W
10. **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
11. **输入电容 (Ciss)**: 1100pF
12. **输出电容 (Coss)**: 280pF
13. **反向恢复时间 (trr)**: 70ns
领域和模块应用:
三、HM4622-VB 的应用领域和模块
HM4622-VB 的双N和P沟道MOSFET配置,使其在以下应用领域中表现出色:
1. **电源管理**:
- **应用实例**:在DC-DC转换器中,HM4622-VB 可用作开关元件管理电流流向。N沟道和P沟道MOSFET的组合使其能够高效地切换电流方向,支持正负电压的转换,提高了转换效率。其低导通电阻有助于减少功率损耗和提高电源系统的整体性能。
2. **负载开关**:
- **应用实例**:在各种负载开关应用中,如电机驱动和负载切换,HM4622-VB 可实现高效的电流开关控制。其双MOSFET设计使得它可以控制正负方向的电流,从而在负载开关中提供灵活性和高效的操作。
3. **逆变器和电机驱动**:
- **应用实例**:在逆变器和电机驱动电路中,HM4622-VB 的双MOSFET设计能够高效地管理电机的驱动电流和电流方向。其低导通电阻和高电流承载能力使其适合于要求快速开关和高功率控制的场合,如电动工具和家用电器中的电机驱动模块。
4. **电池保护和管理**:
- **应用实例**:在电池保护模块中,HM4622-VB 能够有效控制充电和放电过程,保护电池免受过充和过放的风险。N和P沟道MOSFET的组合使其可以实现高效的电池管理和保护功能,延长电池的使用寿命。
通过提供双向电流控制和低导通电阻,HM4622-VB 在各种电子应用中,尤其是需要双极性开关和高效电源管理的场合中,表现出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性