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HM4612D-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**HM4612D-VB** 是一款高性能的双极型场效应晶体管(MOSFET),具有 N 通道和 P 通道配置,适合用于高效率和高密度的电源管理和开关应用。其采用了先进的 Trench 技术,以优化开关性能和降低导通电阻。该 MOSFET 配备 DFN6(2X2)-B 封装,使其在空间受限的应用中依然能够提供出色的性能。适用于各种电子设备的电源管理、DC-DC 转换器以及其他要求高开关频率和高效率的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±7A 18/32mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±7A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2)-B Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±7A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN6(2X2)-B Dual-N+P
详细参数说明

- **封装类型**: DFN6(2X2)-B
- **配置**: 双 N 通道 + P 通道
- **漏源电压 (VDS)**: ±30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: N 通道 1.6V / P 通道 -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N 通道 @ VGS=4.5V: 24mΩ
- N 通道 @ VGS=10V: 18mΩ
- P 通道 @ VGS=4.5V: 40mΩ
- P 通道 @ VGS=10V: 32mΩ
- **最大连续电流 (ID)**: ±7A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**HM4612D-VB** 的设计适用于多种高效能的电子应用场景。以下是几个具体的应用领域和模块示例:

1. **DC-DC 转换器**: 在各种电源转换应用中,HM4612D-VB 能够提供低导通电阻和高电流承载能力,有助于提高转换效率并降低功耗。由于其低 RDS(ON) 值,在高负载条件下能有效减少功率损耗,使其在高效能开关电源中表现优异。

2. **电池供电设备**: 在电池供电的电子设备中,HM4612D-VB 可用于功率管理模块,以优化电池的使用效率。其双 MOSFET 配置允许在电源管理电路中实现更高的集成度和更低的功耗,从而延长设备的运行时间。

3. **电源保护电路**: 在保护电路中,HM4612D-VB 可以作为开关元件,提供短路保护和过载保护。其高电流承载能力和优良的开关性能使其在高压和高电流保护场景中表现出色。

4. **通信设备**: 在通信设备的电源管理和信号开关应用中,HM4612D-VB 能够提供稳定可靠的开关性能,有助于提高系统的总体稳定性和性能。

通过以上应用示例,可以看出 HM4612D-VB 是一款多用途、高性能的 MOSFET,适合用于需要高效开关和电源管理的各种电子产品。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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