推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

HM4412-VB 产品详细

产品简介:

一、HM4412-VB 产品简介

HM4412-VB 是一款高效能的 N 型 MOSFET,封装形式为 SOP8。该 MOSFET 设计用于高电流和低导通电阻的应用,特别适合在要求高开关效率的电路中使用。其漏源击穿电压(VDS)为 30V,栅源电压范围为 ±20V,使其能够在广泛的工作电压下稳定运行。HM4412-VB 的阈值电压(Vth)为 1.7V,能够在较低的栅电压下进行有效导通。它的导通电阻(RDS(ON))为 11mΩ(在 VGS 为 4.5V 时)和 8mΩ(在 VGS 为 10V 时),并且其最大漏极电流(ID)为 13A,适合处理中等至高电流负载。采用 Trench 技术的设计使其在开关性能和电流处理方面表现出色,确保高效和可靠的电流控制。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
二、HM4412-VB 详细参数说明

- **封装类型**:SOP8
- **通道配置**:单 N 型
- **漏源击穿电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:13A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

三、HM4412-VB 的应用领域及模块举例

**1. 电源管理**
HM4412-VB 在电源管理领域中,特别是 DC-DC 转换器和开关电源中表现突出。其低导通电阻和高电流处理能力能够有效提高电源的转换效率,并减少功耗。

**2. 电池管理**
在电池管理系统中,HM4412-VB 可用于充电和放电控制。其低导通电阻和高电流承载能力使其适用于高效的电池保护电路,确保电池在充放电过程中的安全和效率。

**3. 电机驱动**
HM4412-VB 也适用于电机驱动系统,能够高效地控制电机的启动、运行和调速。其高电流能力和低导通电阻保证了电机驱动的高效和稳定。

**4. 负载开关**
在负载开关应用中,如 LED 驱动和功率开关,HM4412-VB 提供了优秀的开关性能和电流处理能力,适合用于控制中等功率的负载,确保可靠的操作。

**5. 高频开关电路**
HM4412-VB 的 Trench 技术使其非常适合高频开关电路应用。其低导通电阻和良好的开关性能有助于减少开关损耗,提高电路的总体效率。

**6. 电路保护**
HM4412-VB 可用于电路保护应用,如过流保护和过压保护。其高电流处理能力和低导通电阻能够有效地保护电路元件免受损坏,增强系统的可靠性。

HM4412-VB 以其优良的电流处理能力、低导通电阻和稳定的开关性能,在电源管理、电池管理、电机驱动、负载开关、高频开关和电路保护等领域中提供了高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询