推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

HM3N80-VB 产品详细

产品简介:

一、HM3N80-VB 产品简介

HM3N80-VB 是一款高压N沟道MOSFET,封装形式为TO220,专为高电压应用设计。该MOSFET 的漏源电压(VDS)可达到850V,适用于需要高电压承受能力的场合。其栅源电压(VGS)范围为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V,适合中等电压驱动应用。HM3N80-VB 采用Plannar技术,具有较高的导通电阻,在VGS=10V时为2700mΩ,最大漏极电流(ID)为4A。该MOSFET 适合用于高电压开关和电源管理等领域。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、HM3N80-VB 详细参数说明

1. **封装类型**: TO220
2. **沟道配置**: 单N沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: 850V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±30V
5. **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2700mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流 (ID)**: 4A
8. **技术类型**: Plannar
9. **最大功耗 (Ptot)**: 35W
10. **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
11. **输入电容 (Ciss)**: 380pF
12. **输出电容 (Coss)**: 70pF
13. **反向恢复时间 (trr)**: 100ns

领域和模块应用:

三、HM3N80-VB 的应用领域和模块

HM3N80-VB 由于其高电压承受能力和中等电流能力,适用于多个高压应用场合。以下是一些典型的应用领域和模块:

1. **高压电源开关**:
- **应用实例**:在高压开关电源中,HM3N80-VB 可用作主开关元件。其850V的漏源电压适合用于需要高电压的电源设计,例如工业电源和高压充电器。

2. **开关模式电源 (SMPS)**:
- **应用实例**:在SMPS设计中,HM3N80-VB 可以用于高电压侧的开关操作。其较高的VDS允许其在高压转换电路中可靠工作,适合用于LED驱动电源和电机驱动器等。

3. **功率转换器**:
- **应用实例**:在功率转换器中,HM3N80-VB 适用于高电压输入和输出的场合。其高耐压特性使其成为电力变换器中的理想选择,尤其是在需要高电压耐受的场合。

4. **高压逆变器**:
- **应用实例**:在高压逆变器设计中,HM3N80-VB 可用作逆变器电路中的开关管。其高电压耐受能力确保其在高电压环境中稳定工作,适合于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中。

5. **电机驱动电路**:
- **应用实例**:在高压电机驱动电路中,HM3N80-VB 可以用于高电压电机控制模块。其高电压耐受能力使其能够处理高电压电机的驱动需求,特别是在工业应用中。

HM3N80-VB 的高电压和中等电流能力使其在高电压开关和功率管理领域中非常有用,其可靠性和耐用性适合多种高电压应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询