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HM30N04D-VB 产品详细

产品简介:

一、HM30N04D-VB 产品简介

HM30N04D-VB 是一款高效能单通道 N 型 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封装,专为高电流和低电压应用设计。其漏源击穿电压(VDS)为 30V,适合用于低电压环境下的高电流开关和控制任务。栅源电压(VGS)范围为 ±20V,使得 MOSFET 可以在较大的栅电压范围内稳定工作。该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 1.7V,使其能够在相对较低的栅电压下导通。在 VGS 为 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))为 9mΩ,而在 VGS 为 10V 时,RDS(ON) 为 7mΩ。其最大漏极电流(ID)达到 80A,能够处理高电流负载。采用 Trench 技术,提供了极低的导通电阻和高效能,非常适合高电流和高频率的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、HM30N04D-VB 详细参数说明

- **封装类型**:DFN8(5X6)
- **通道配置**:单 N 型
- **漏源击穿电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:80A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

三、HM30N04D-VB 的应用领域及模块举例

**1. 电源管理**
HM30N04D-VB 适用于电源管理模块,如 DC-DC 转换器和电源开关。其低导通电阻和高电流能力使其能够高效地管理电源开关和转换过程中的高电流负载,提高系统的效率和可靠性。

**2. 电机驱动**
在电机驱动应用中,例如电动工具和电动车控制器,HM30N04D-VB 可以作为功率开关,用于控制电机的启停和调速。其 80A 的最大漏极电流和低 RDS(ON) 确保电机驱动系统的高效和稳定运行。

**3. LED 驱动**
该 MOSFET 也非常适合用于高功率 LED 驱动电路,能够有效控制 LED 的亮度和开关。其低导通电阻减少了功率损耗,确保 LED 照明系统的能效和长寿命。

**4. 计算机和通信设备**
HM30N04D-VB 在计算机和通信设备中也有广泛应用,如电源管理、信号开关等。其高电流处理能力和低导通电阻能够有效提高设备的性能和稳定性。

HM30N04D-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在电源管理、电机驱动、LED 驱动和计算机通信等应用领域中表现优异,为各种高电流低电压应用提供了高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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