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HM25N03D-VB 产品详细

产品简介:

HM25N03D-VB MOSFET 产品简介

**HM25N03D-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,封装形式为DFN8(5x6)。它采用了Trench技术,专为高电流和低导通电阻的应用设计。这款MOSFET具有30V的漏源极耐压和高达80A的漏极电流能力。其导通电阻在VGS=10V时仅为7mΩ,在VGS=4.5V时为9mΩ,确保了高效的开关性能和低功耗运行。其1.7V的阈值电压使其适用于低电压驱动的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
HM25N03D-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **高效电源管理**: HM25N03D-VB 适合用于高效的电源管理系统,特别是在需要处理高电流的应用中。其低导通电阻和高电流能力使其在电源转换器和电源模块中能够有效减少功耗和提高效率,适用于如电源适配器和电池管理系统等设备。

2. **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中,该MOSFET 的低导通电阻(7mΩ @ VGS=10V)和高电流能力使其能够显著提高转换效率,降低功率损耗。它适合用于需要高电流和高效率的电压转换应用,如高性能电源模块和汽车电源系统。

3. **电动汽车和高功率设备**: HM25N03D-VB 可以用于电动汽车的驱动系统和其他高功率设备中。其30V的耐压和80A的电流能力使其能够应对电动汽车中高电流的需求,提供可靠的电力控制和驱动性能。

4. **LED驱动电路**: 在LED驱动电路中,HM25N03D-VB 的高开关速度和低导通电阻使其能够高效驱动LED,提供稳定的光输出。它特别适合用于LED照明系统,如高亮度照明和背光源应用,确保了稳定的电力供应和优质的照明效果。

HM25N03D-VB MOSFET 的低导通电阻和高电流能力使其在高效电源管理、DC-DC转换器、电动汽车驱动系统以及LED驱动电路中表现出色,为各种高功率应用提供了高效、可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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