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HM2302BKR-VB 产品详细

产品简介:

一、HM2302BKR-VB 产品简介

HM2302BKR-VB是一款高效能单N沟道MOSFET,封装形式为SC70-3。该MOSFET设计用于低电压应用,具有20V的漏源电压(VDS),适合用于低电压电源和信号开关。其栅源电压(VGS)最大为±12V,而阈值电压(Vth)范围为0.5V至1.5V,确保其在低栅电压下能够稳定工作。HM2302BKR-VB具有优异的导通电阻性能,其导通电阻(RDS(ON))在不同栅电压下分别为36mΩ(VGS=10V)、40mΩ(VGS=4.5V)、和48mΩ(VGS=2.5V)。支持高达4A的连续漏极电流(ID),采用Trench技术,为各种低电压应用提供高效的开关解决方案。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-N
二、HM2302BKR-VB 详细参数说明

1. **封装类型**: SC70-3
2. **沟道配置**: 单N沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: 20V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±12V
5. **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 36mΩ @ VGS=10V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 48mΩ @ VGS=2.5V
7. **连续漏极电流 (ID)**: 4A
8. **技术类型**: Trench
9. **最大功耗 (Ptot)**: 0.6W
10. **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
11. **输入电容 (Ciss)**: 280pF
12. **输出电容 (Coss)**: 60pF
13. **反向恢复时间 (trr)**: 50ns

领域和模块应用:

三、HM2302BKR-VB 的应用领域和模块

HM2302BKR-VB MOSFET的低电压特性和高效能使其非常适合用于多个低电压应用场合。以下是一些典型的应用领域和模块:

1. **低电压电源开关**:
- **应用实例**:在低电压电源模块中,如5V或12V电源开关,HM2302BKR-VB能够高效地控制电源开关操作,保证系统的稳定性和可靠性。

2. **信号开关**:
- **应用实例**:在信号开关应用中,如音频或视频信号的开关,HM2302BKR-VB的低阈值电压和低导通电阻特性使其能够在低电压环境下高效地切换信号。

3. **移动设备和便携式电子产品**:
- **应用实例**:在智能手机、平板电脑等移动设备中,HM2302BKR-VB可以用于电源管理和信号处理,提供高效的开关控制和节能性能。

4. **电池管理系统**:
- **应用实例**:在低电压电池管理系统中,如可充电电池的开关和保护电路,HM2302BKR-VB可以提供可靠的开关功能,保护电池免受过流和过压的影响。

5. **LED驱动电路**:
- **应用实例**:在LED驱动电路中,HM2302BKR-VB能够有效控制LED的开关,提供稳定的亮度控制和高效的电力转换。

HM2302BKR-VB的低电压和高效能特性,使其在低电压应用和紧凑型设计中表现出色,为各种低电压电子产品和系统提供了可靠的开关解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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