产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
650V |
|
3.5V |
9A |
|
|
500mΩ |
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
650V |
|
3.5V |
9A |
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
650V |
|
3.5V |
9A |
|
SJ_Multi-EPI |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
|
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二、详细参数说明
- **型号**:HM16N60-VB
- **封装形式**:TO-220
- **器件类型**:单通道N沟道MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:650V
- **栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:500mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:9A
- **工艺技术**:SJ_Multi-EPI技术
- **封装尺寸**:TO-220,具有优良的散热性能和机械强度
- **工作温度范围**:通常在-55°C至+175°C之间(具体需参考数据手册)
- **封装引脚配置**:TO-220标准引脚布局,适合高功率应用
- **开关特性**:适用于高电压开关应用,提供稳定的开关性能和相对较低的导通损耗
领域和模块应用:
三、应用领域及模块举例
HM16N60-VB由于其高电压承受能力和较大的电流处理能力,适用于以下领域和模块:
1. **高压电源管理**:在高压电源转换器中,作为开关元件使用,能够处理高达650V的电压,确保高效的电能管理和转换。
2. **电力电子设备**:用于电力变换器和逆变器中,作为高电压开关元件,提供可靠的开关性能,支持电力系统的高效运行。
3. **工业电源**:在工业电源控制系统中,作为高电压开关元件处理大电流负载,保证电力系统的稳定和高效运行。
4. **电气化铁路**:在电气化铁路的电源系统中,适用于高电压应用,确保铁路电力系统的稳定和安全。
5. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中的逆变器中,作为开关元件处理高电压电源,支持高效的能量转换和系统稳定性。
6. **汽车电子**:用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统中,处理高电压电源,提供稳定的电气系统控制。
7. **电源适配器**:在需要高电压和大电流处理的电源适配器中,HM16N60-VB可作为开关元件,提升电源的效率和稳定性。
HM16N60-VB凭借其高电压耐受性和可靠的开关性能,广泛应用于高电压电源管理、电力电子设备以及工业控制等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性