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HM16N60-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

HM16N60-VB 是一款高耐压N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装形式为TO-220。这款MOSFET能够承受高达650V的漏源电压(V_DS),并且具有9A的漏极电流(I_D),适合用于高电压应用场景。其导通电阻(R_DS(ON))为500mΩ @ V_GS = 10V,提供稳定的开关性能。HM16N60-VB特别适用于电力电子和电源管理系统,能够有效处理高电压和大电流需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、详细参数说明

- **型号**:HM16N60-VB
- **封装形式**:TO-220
- **器件类型**:单通道N沟道MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:650V
- **栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:500mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:9A
- **工艺技术**:SJ_Multi-EPI技术
- **封装尺寸**:TO-220,具有优良的散热性能和机械强度
- **工作温度范围**:通常在-55°C至+175°C之间(具体需参考数据手册)
- **封装引脚配置**:TO-220标准引脚布局,适合高功率应用
- **开关特性**:适用于高电压开关应用,提供稳定的开关性能和相对较低的导通损耗

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

HM16N60-VB由于其高电压承受能力和较大的电流处理能力,适用于以下领域和模块:

1. **高压电源管理**:在高压电源转换器中,作为开关元件使用,能够处理高达650V的电压,确保高效的电能管理和转换。

2. **电力电子设备**:用于电力变换器和逆变器中,作为高电压开关元件,提供可靠的开关性能,支持电力系统的高效运行。

3. **工业电源**:在工业电源控制系统中,作为高电压开关元件处理大电流负载,保证电力系统的稳定和高效运行。

4. **电气化铁路**:在电气化铁路的电源系统中,适用于高电压应用,确保铁路电力系统的稳定和安全。

5. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中的逆变器中,作为开关元件处理高电压电源,支持高效的能量转换和系统稳定性。

6. **汽车电子**:用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统中,处理高电压电源,提供稳定的电气系统控制。

7. **电源适配器**:在需要高电压和大电流处理的电源适配器中,HM16N60-VB可作为开关元件,提升电源的效率和稳定性。

HM16N60-VB凭借其高电压耐受性和可靠的开关性能,广泛应用于高电压电源管理、电力电子设备以及工业控制等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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