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HM1607-VB 产品详细

产品简介:

一、HM1607-VB产品简介

HM1607-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为高电流和低电阻应用设计。该MOSFET具有80V的漏源电压(VDS),适合在中等电压环境下使用。其栅源电压(VGS)最大为±20V,阈值电压(Vth)为3V,使其能够在较低的栅电压下稳定操作。HM1607-VB的导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为3mΩ,在VGS=4.5V时为3.6mΩ,展示了极低的导通损耗。该器件能够支持高达195A的连续漏极电流(ID),并采用Trench技术,提供了优异的开关速度和电气性能,特别适用于需要高电流和低导通电阻的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、HM1607-VB详细参数说明

1. **封装类型**: TO220
2. **沟道配置**: 单N沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: 80V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
5. **阈值电压 (Vth)**: 3V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=10V
- 3.6mΩ @ VGS=4.5V
7. **连续漏极电流 (ID)**: 195A
8. **技术类型**: Trench
9. **击穿电压 (BVDSS)**: 80V
10. **最大功耗 (Ptot)**: 150W
11. **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
12. **输入电容 (Ciss)**: 2200pF
13. **输出电容 (Coss)**: 300pF
14. **反向恢复时间 (trr)**: 120ns

领域和模块应用:

三、HM1607-VB的应用领域和模块

HM1607-VB MOSFET的高电流处理能力和极低的导通电阻使其在多个应用场景中表现出色。以下是一些典型的应用领域和模块:

1. **高功率电源管理**:在高功率电源管理系统中,HM1607-VB能够高效地处理电源的开关和控制任务,特别适用于需要大电流处理和低导通损耗的电源模块,如服务器电源和工业电源。

2. **电机驱动**:该MOSFET适合用于高电流电机驱动系统,如工业电机、汽车电机和高性能电动工具,能够提供稳定的电流处理和高效的驱动性能。

3. **电池管理系统(BMS)**:HM1607-VB可以用于电池管理系统中的高电流开关和保护,特别是在大容量电池组中,提供可靠的电流管理和过流保护功能。

4. **逆变器和变换器**:在光伏逆变器、UPS和其他电力变换器中,该MOSFET能够有效地处理高电流,提供稳定和高效的电力转换。

5. **高功率开关电路**:在高功率开关电路中,如高功率继电器和功率调节电路,HM1607-VB能够实现高效的开关控制,提升系统的整体效率和可靠性。

这些特性使得HM1607-VB MOSFET在高电流和高功率应用中具有显著优势,为各种电力电子设备提供了强大的性能支持。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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