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HM120N03-VB 产品详细

产品简介:

一、HM120N03-VB 产品简介

HM120N03-VB 是一款高性能 N 型功率 MOSFET,采用 TO220 封装,专为低压、高电流应用设计。该 MOSFET 的漏源电压(VDS)为 30V,适用于较低电压的开关应用。其栅源电压(VGS)为 ±20V,阈值电压(Vth)为 1.7V。该器件的导通电阻(RDS(ON))非常低,在 VGS 为 4.5V 时为 2.8mΩ,在 VGS 为 10V 时为 2mΩ,表明其优异的导电性能。最大漏极电流(ID)高达 140A,使其适合处理大电流负载。采用 Trench 技术,该 MOSFET 提供了高效的开关性能,适用于需要高电流和低导通电阻的现代电子设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 140A 2mΩ Trench
二、HM120N03-VB 详细参数说明

- **封装类型(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 单通道 N 型(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS):** 30V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 2.8mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 140A
- **技术类型(Technology):** Trench

领域和模块应用:

三、HM120N03-VB 应用领域和模块示例

1. **高效电源转换:**
HM120N03-VB 的低导通电阻和高漏极电流处理能力使其非常适合用于高效的电源转换模块,如 DC-DC 转换器和高功率 AC-DC 适配器。它能够在减少开关损耗的同时,确保高电流的稳定传输,提升系统效率。

2. **电动汽车和电池管理系统:**
在电动汽车和电池管理系统中,HM120N03-VB 可用于高电流的开关应用,如电池开关和充电控制。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提升系统的功率密度和整体效率,适应电动汽车的高功率需求。

3. **工业电机驱动:**
在工业电机驱动系统中,HM120N03-VB 的高电流能力和优良的开关性能使其适用于电机控制电路。它可以有效控制电机的启动、调速和运行,适用于风扇、泵和其他工业电机应用中,提供可靠的电流控制和保护。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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