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HM10N80-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

HM10N80-VB 是一款高耐压单通道N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装形式为TO-220。这款MOSFET的漏源电压高达800V,使其特别适合用于高电压应用。其导通电阻(R_DS(ON))为1300mΩ @ V_GS = 10V,尽管相对较高,但其高耐压特性和较大的漏极电流(5A)使其在高电压环境中表现出色。HM10N80-VB广泛应用于高压电源管理、功率转换和电力控制等领域,提供可靠的高电压开关解决方案。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A 1300mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、详细参数说明

- **型号**:HM10N80-VB
- **封装形式**:TO-220
- **器件类型**:单通道N沟道MOSFET
- **漏源电压 (V_DS)**:800V
- **栅源电压 (V_GS)**:±30V
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:1300mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流 (I_D)**:5A
- **工艺技术**:SJ_Multi-EPI技术
- **封装尺寸**:TO-220,提供良好的散热性能和机械强度
- **工作温度范围**:通常在-55°C至+175°C之间(具体需参考数据手册)
- **封装引脚配置**:TO-220标准引脚布局,适合高功率和高电压应用
- **开关特性**:适合高电压开关应用,具有稳定的开关性能和可靠性

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

HM10N80-VB由于其高电压耐受能力和较大漏极电流,适用于以下领域和模块:

1. **高压电源管理**:在高压电源转换器和电源适配器中作为开关元件使用,处理高达800V的电压,确保电能的高效管理和转换。

2. **电力转换系统**:用于高电压功率变换器和逆变器中,提供稳定的高电压开关控制,支持大功率的电能转换和调节。

3. **工业电源**:在工业电力控制系统中,作为高电压开关组件使用,处理大电流负载,确保电力系统的高效和稳定运行。

4. **电力电子设备**:适用于电力电子设备中的高电压开关控制,如电力变换器、电源模块和高压直流电源,保证设备的稳定性和可靠性。

5. **电气化铁路**:在电气化铁路的电源系统中,作为高功率开关元件,处理高电压电流,确保铁路电力系统的稳定和安全。

6. **能源管理**:用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电系统中,提供高电压开关控制,支持高效能量转换和管理。

7. **汽车电子**:在电动汽车或混合动力汽车的电源管理系统中,处理高电压电源,确保电动系统的高效运行和安全性。

HM10N80-VB凭借其高电压承受能力和可靠的开关性能,在高电压和高功率应用中发挥重要作用,广泛适用于电源管理、电力转换和工业控制等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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