HM100N03D-VB - VBsemi MOS管制造商

HM100N03D-VB 产品详细

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产品简介：

一、HM100N03D-VB 产品简介

HM100N03D-VB 是一款高性能 N 型功率 MOSFET，采用 DFN8（5x6mm）封装，专为低压、高电流应用设计。该 MOSFET 具有 30V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），能够在较低的电压下提供高效的开关性能。其阈值电压（Vth）为 1.7V，具有极低的导通电阻（RDS(ON)），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时分别为 2.5mΩ 和 1.8mΩ，展现出卓越的导电性能。最大漏极电流（ID）高达 160A，使其适用于高电流需求的应用。采用的 Trench 技术提升了 MOSFET 的开关速度和效率，使其成为现代高性能电子设备的理想选择。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A			1.8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

二、HM100N03D-VB 详细参数说明

- **封装类型（Package）：** DFN8 (5x6mm)
- **配置（Configuration）：** 单通道 N 型（Single-N-Channel）
- **漏源电压（VDS）：** 30V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 160A
- **技术类型（Technology）：** Trench

领域和模块应用：

三、HM100N03D-VB 应用领域和模块示例

1. **高效电源转换：**
HM100N03D-VB 的低导通电阻和高漏极电流使其非常适合用于高效的电源转换模块，如 DC-DC 转换器和高功率 AC-DC 适配器。它可以在提高转换效率的同时，减少能量损耗，使得系统更加节能。

2. **电动汽车和电池管理系统：**
在电动汽车和电池管理系统中，HM100N03D-VB 的高电流处理能力和低开关损耗特性使其适用于电池开关、充电控制和电机驱动。其优良的热性能和高电流能力帮助确保系统的稳定性和可靠性。

3. **电源管理和分配系统：**
在高功率电源管理和分配系统中，HM100N03D-VB 可用于电源开关和负载调节应用。它能够有效地处理大电流，保证系统的稳定运行，尤其在需要高密度封装和高功率密度的现代电子设备中表现出色。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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