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HFP7N80-VB 产品详细

产品简介:

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HFP7N80-VB是一款高电压N沟道MOSFET,封装为TO220,采用SJ_Multi-EPI技术。它具有800V的漏源电压耐受能力,适用于需要高电压处理的应用。虽然其导通电阻较高,但在5A的连续漏极电流下,HFP7N80-VB依然表现出稳定的性能,适合用于要求高电压的电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A 1300mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: HFP7N80-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 800V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1300mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块示例

1. **高电压电源开关**: HFP7N80-VB因其800V的高电压耐受能力,适用于高电压电源开关应用。例如,它可以用于高压电源管理系统和高电压DC-DC转换器中,以处理高电压条件下的开关操作,确保电源系统的安全和稳定。

2. **高电压保护电路**: 在电压保护电路中,HFP7N80-VB可以作为过电压保护开关使用。其高电压耐受能力使其能够有效保护电路免受电压异常影响,保证系统的安全性和稳定性。

3. **大功率电源模块**: 尽管其导通电阻相对较高,HFP7N80-VB依然适用于需要高电压的电源模块中。它可以在大功率电源模块中稳定运行,处理高电压负载,确保系统的高效和可靠运行。

4. **工业电气设备**: 由于其高电压耐受性和可靠性,HFP7N80-VB适用于各种工业电气设备,例如高压电机驱动和工业控制系统。在这些应用中,它能够处理高电压负载,提供稳定的开关性能。

HFP7N80-VB凭借其高电压耐受能力和可靠性,能够为高电压电源开关、高电压保护电路、大功率电源模块和工业电气设备提供有效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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