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HFP2N65-VB 产品详细

产品简介:

HFP2N65-VB 产品简介

HFP2N65-VB是一款高压N沟道功率MOSFET,采用TO220封装。这款MOSFET专为高达650V的漏源电压(VDS)设计,并支持高达±30V的栅源电压(VGS)。HFP2N65-VB使用Plannar技术,提供了稳定的开关性能和较高的耐压能力。其阈值电压为3.5V,导通电阻(RDS(ON))为3900mΩ(在VGS = 4.5V时)和3120mΩ(在VGS = 10V时),最大漏极电流为2A。该MOSFET适用于需要高电压和稳定性能的电源管理和开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
HFP2N65-VB 详细参数说明

1. **封装形式**:TO220
2. **配置**:单N沟道
3. **漏源电压(VDS)**:650V
4. **栅源电压(VGS)**:±30V
5. **阈值电压(Vth)**:3.5V
6. **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS = 4.5V
- 3120mΩ @ VGS = 10V
7. **漏极电流(ID)**:2A
8. **技术类型**:Plannar技术

领域和模块应用:

HFP2N65-VB 的应用领域和模块示例

HFP2N65-VB因其高电压承受能力和稳定的开关性能,适用于以下领域和模块:

1. **高压电源开关**:HFP2N65-VB适用于高压电源开关应用,能够处理高达650V的漏源电压。这使得它在高压直流-直流转换器(DC-DC转换器)和高压电源模块中能够稳定地控制电压,并提供可靠的开关操作。

2. **电力电子转换器**:在电力电子转换器(如逆变器和电源模块)中,HFP2N65-VB的高VDS值和相对较高的RDS(ON)使其适合用于处理电力转换过程中的高电压和电流要求。尽管其RDS(ON)较高,但在某些高电压应用中,这种MOSFET仍然能够提供足够的开关性能。

3. **电机驱动电路**:在高压电机驱动电路中,HFP2N65-VB可以作为开关元件控制电机的高电压。其高耐压和可靠的开关性能可以帮助管理电机驱动中的高电压需求,确保系统的稳定运行。

4. **保护电路**:HFP2N65-VB也适用于高压保护电路,例如过电压保护和电流限制电路。其高击穿电压和稳健的开关性能使其能够有效地保护电路不受过电压或过电流的影响,防止系统故障。

这些应用示例展示了HFP2N65-VB在高压电子系统中的适用性。虽然其导通电阻较高,但在需要高电压承受能力和稳定性能的场合,这款MOSFET依然是一个可靠的选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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