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HFP2N65U-VB 产品详细

产品简介:

一、HFP2N65U-VB 产品简介

HFP2N65U-VB 是一款高电压 N型 MOSFET,采用 TO220 封装。其最大漏源极电压(VDS)为 650V,支持 ±30V 的栅源极电压(VGS)。此 MOSFET 的开启电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))为 3900mΩ 在 VGS = 4.5V 时测量,和 3120mΩ 在 VGS = 10V 时测量。额定漏极电流(ID)为 2A。HFP2N65U-VB 采用 Plannar 技术制造,适合在高电压条件下提供可靠的开关性能和耐用性,特别适合需要高电压耐受能力和高功率处理的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、HFP2N65U-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单通道 N型 MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**: 650V
- **栅源极电压(VGS)**: ±30V
- **开启电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS = 4.5V
- 3120mΩ @ VGS = 10V
- **额定漏极电流(ID)**: 2A
- **技术**: Plannar
- **封装形式**: TO220

领域和模块应用:

三、应用领域及模块

HFP2N65U-VB 的高电压和高功率处理能力使其在以下领域和模块中表现出色:

1. **高压开关电源**: HFP2N65U-VB 适合用于高压开关电源模块,例如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。尽管导通电阻较高,但其 650V 的耐压能力允许它在高电压环境中稳定工作,适用于高压输入条件。

2. **照明系统**: 在高压照明系统(如高压金属卤化物灯或卤素灯)的驱动电路中,HFP2N65U-VB 可以作为开关组件。它能够承受高电压,确保在高压灯光系统中可靠的开关操作。

3. **家用电器**: HFP2N65U-VB 可用于家用电器中的高电压开关,例如洗衣机、冰箱和空调的电源模块。它的高电压承受能力能够满足这些设备在高电压环境下的需求。

4. **工业控制**: 在工业控制系统中,如电机驱动和电源保护系统,HFP2N65U-VB 可以作为高压开关元件使用。它能够提供高电压环境下的可靠开关功能,保障工业设备的正常运行。

5. **功率调节**: HFP2N65U-VB 适用于功率调节模块,如逆变器和功率转换器。尽管导通电阻较高,但其高电压耐受能力和稳定性使其在高功率调节和转换场景中具有重要应用价值。

这些应用展示了 HFP2N65U-VB 在高压开关电源、照明系统、家用电器、工业控制和功率调节中的广泛用途,确保在高电压环境中的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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