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HAT2280R-VB 产品详细

产品简介:

HAT2280R-VB MOSFET 产品简介

HAT2280R-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。它设计用于高电流和高效能应用,提供卓越的开关性能和低导通电阻。该 MOSFET 的漏源极电压 (VDS) 为 30V,栅源极电压 (VGS) 允许 ±20V 的高电压范围,使其在各种电压条件下都能稳定工作。HAT2280R-VB 的栅极阈值电压 (Vth) 为 1.7V,能够在较低的控制电压下实现高效开关。采用 Trench 技术,这款 MOSFET 实现了非常低的导通电阻 (RDS(ON)),在 VGS 为 4.5V 时为 11mΩ,在 VGS 为 10V 时为 8mΩ,支持高达 13A 的连续漏极电流 (ID)。这种设计使其非常适合用于要求高电流和低功耗的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
HAT2280R-VB 详细参数说明

- **封装类型 (Package):** SOP8
- **配置 (Configuration):** 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS):** 30V
- **栅源极电压 (VGS):** ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID):** 13A
- **技术类型 (Technology):** Trench 技术

领域和模块应用:

HAT2280R-VB 应用领域与模块示例

1. **电源管理:** HAT2280R-VB 在电源管理系统中表现优异,特别是在 DC-DC 转换器和电源路径管理模块中。其低导通电阻和高电流能力使其能够有效降低功耗,提高系统效率,适合于高功率密度的电源管理应用。

2. **电机驱动:** 在电机驱动应用中,如步进电机和直流电机驱动器,HAT2280R-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其能够提供稳定的电流支持。这种特性对于电机的控制精度和系统的整体效率至关重要,适用于高电流和高效能的电机驱动系统。

3. **负载开关:** 由于其低导通电阻和高电流能力,HAT2280R-VB 是负载开关应用的理想选择。它可以在高负载和高电流条件下高效地进行开关操作,适合于电池管理系统和高功率开关模块,如负载切换和电流控制应用。

4. **消费电子产品:** 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和便携式设备,HAT2280R-VB 的紧凑封装和高效能使其成为电源路径控制和电池管理的理想选择。其高电流能力和低功耗特性能够帮助提升设备的整体性能和电池寿命,特别是在高功率需求的情况下。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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