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HAT2276RJ-VB 产品详细

产品简介:

一、HAT2276RJ-VB 产品简介

HAT2276RJ-VB 是一款双通道 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装。这款 MOSFET 具备两个 N 沟道 MOSFET,支持高达 30V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS)。其开启电压(Vth)为 1.7V,采用 Trench 技术以提供较低的导通电阻(RDS(ON)),具体为 26mΩ @ VGS=4.5V 和 22mΩ @ VGS=10V。每个通道的最大漏极电流(ID)分别为 6.8A 和 6.0A。HAT2276RJ-VB 的双通道设计适用于高效开关和功率管理应用,其紧凑的 SOP8 封装在空间受限的应用中提供了优异的性能和灵活性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A 22mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 30V 1.7V 6.8/6.0A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
二、HAT2276RJ-VB 详细参数说明

- **封装类型(Package)**: SOP8
- **通道配置(Configuration)**: 双 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **开启电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 22mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:
- 6.8A(第一个通道)
- 6.0A(第二个通道)
- **技术类型(Technology)**: Trench 技术

领域和模块应用:

三、HAT2276RJ-VB 应用领域与模块举例

1. **电源管理系统**: HAT2276RJ-VB 的高效开关性能和较低的导通电阻使其适合用于电源管理系统中的电源开关和功率转换模块。其双通道设计能够处理多个电源路径,优化电源分配和功率转换效率,满足各种高效能电源管理需求。

2. **电机控制**: 在电机控制系统中,HAT2276RJ-VB 的双通道配置可以用于电机驱动的 H 桥电路中,支持双向电流开关。其 30V 的漏源电压和 6.8A 的漏极电流能力,使其适用于中等功率的电机驱动,提供稳定的电机控制和高效的驱动性能。

3. **消费电子产品**: 对于智能手机、平板电脑和其他消费电子产品,HAT2276RJ-VB 的 SOP8 封装和双通道设计使其适合用于电池管理系统、电源开关和高效电源转换模块。其紧凑的封装和高性能使其能够在有限空间内满足高效能和小型化的要求。

4. **工业自动化**: 在工业控制和自动化系统中,HAT2276RJ-VB 可用于功率开关和负载控制应用。其双通道设计允许在单个封装中实现多通道开关功能,有助于简化工业设备的控制系统设计,提升系统的可靠性和紧凑性。

HAT2276RJ-VB 的双通道设计和优异的开关性能使其在需要高效开关和中等功率处理的应用中表现出色,特别适合用于电源管理、电机控制和消费电子等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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