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HAT2208WP-VB 产品详细

产品简介:

HAT2208WP-VB MOSFET 产品简介

HAT2208WP-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封装。它设计用于处理高电流应用,具有出色的开关性能和优异的热管理能力。该 MOSFET 的漏源极电压 (VDS) 为 30V,栅源极电压 (VGS) 支持 ±20V 的高电压范围,确保其在各种电压条件下稳定工作。HAT2208WP-VB 的栅极阈值电压 (Vth) 为 1.7V,允许在较低的控制电压下实现高效开关。通过 Trench 技术制造,HAT2208WP-VB 提供了非常低的导通电阻 (RDS(ON)),在 VGS 为 4.5V 时为 9mΩ,在 VGS 为 10V 时为 7mΩ,支持高达 80A 的连续漏极电流 (ID),使其在高电流应用中具有卓越的表现。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
HAT2208WP-VB 详细参数说明

- **封装类型 (Package):** DFN8(5X6)
- **配置 (Configuration):** 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS):** 30V
- **栅源极电压 (VGS):** ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth):** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID):** 80A
- **技术类型 (Technology):** Trench 技术

领域和模块应用:

HAT2208WP-VB 应用领域与模块示例

1. **电源管理:** HAT2208WP-VB 在电源管理系统中表现出色,特别是在高效的 DC-DC 转换器和电源路径管理模块中。由于其低导通电阻和高电流处理能力,该 MOSFET 能够有效降低功耗,提高系统效率,适合用于高功率密度的电源转换和管理应用。

2. **电机驱动:** 在电机驱动应用中,如步进电机和直流电机驱动器,HAT2208WP-VB 的高电流能力和低导通电阻使其能够提供稳定的电流支持,从而提高电机的控制精度和系统的整体效率。它适用于需要高电流和高效能的电机控制系统。

3. **负载开关:** 由于其低导通电阻和高电流能力,HAT2208WP-VB 是负载开关应用的理想选择。在各种高电流负载开关场合中,它能够高效地进行开关操作,适用于电池管理系统、高功率开关模块等。

4. **消费电子产品:** 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和便携式设备,HAT2208WP-VB 的紧凑封装和高效能使其成为电源路径控制和电池管理的理想选择。它能够帮助提升设备的电池寿命和整体性能,特别是在高功率需求和高电流条件下。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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