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HAT2201WP-VB 产品详细

产品简介:

HAT2201WP-VB MOSFET 产品简介

HAT2201WP-VB是一款高电压、高电流的单N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装。这款MOSFET采用先进的Trench技术设计,能够在高达100V的漏极-源极电压下稳定工作。其较低的导通电阻和较高的漏极电流能力使其非常适合用于高效能电源管理、电机驱动和开关控制等应用。HAT2201WP-VB在保持高效能的同时,确保系统的可靠性和稳定性,适用于要求高电压和高电流的复杂电子应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A 17mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
HAT2201WP-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 17mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **高电压电源管理系统**:HAT2201WP-VB的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适用于高电压电源管理系统。在DC-DC转换器和电源分配模块中,该MOSFET能够有效地处理高电压,并确保高效的能量转换,减少功耗和热量生成。它特别适合用于需要稳定高电压输出的应用中,如工业电源和通信电源。

2. **电机驱动器**:在电机驱动应用中,HAT2201WP-VB能够处理高电压和高电流,适用于驱动各种电动机。其低导通电阻和高电流能力确保了电机的平稳运行和高效能控制。例如,在电动工具、电动汽车或其他工业电机驱动系统中,这款MOSFET能够提供可靠的开关和控制性能。

3. **开关控制和负载开关**:HAT2201WP-VB也适用于高电压开关控制和负载开关应用。由于其高电压耐受能力和低导通电阻,这款MOSFET能够在高电压负载下进行稳定的开关操作,适用于电源开关、电池保护和其他要求高电压的负载开关电路中。它能够确保系统的可靠性和高效能,尤其是在高功率和高电压的应用环境中。

这些特性使得HAT2201WP-VB在需要处理高电压和高电流的电子设备中具有广泛的应用前景,能够满足各种高效能和高稳定性的设计要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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