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HAT2187WP-VB 产品详细

产品简介:

一、HAT2187WP-VB 产品简介

HAT2187WP-VB 是一款采用 Trench 技术的高电压单 N 沟道 MOSFET,封装类型为 DFN8(5X6),适合需要高功率密度和低导通电阻的应用场景。该器件的漏源极电压 (VDS) 为 200V,栅源极电压 (VGS) 范围为 ±20V,具备较高的电压处理能力。其开启电压 (Vth) 为 3V,能够在多种工作电压条件下稳定开启。HAT2187WP-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 时为 38mΩ,支持最大 30A 的连续漏极电流 (ID),使其能够在高电压和大电流负载下高效工作。这款 MOSFET 适合用于需要高可靠性和高效能的电力电子应用,如电机驱动、开关电源和工业自动化系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 200V 3V 30A 38mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、HAT2187WP-VB 详细参数说明

1. **封装类型**: DFN8(5X6)
- 封装类型为 DFN8(5X6),具有紧凑型和低热阻的特点,适合空间受限的高功率密度应用。

2. **配置**: 单 N 沟道
- 单 N 沟道配置用于各种开关和放大应用,提供优异的电流处理能力和快速的开关性能。

3. **漏源极电压 (VDS)**: 200V
- 最大漏源极电压为 200V,适合中高压应用,满足多种电压要求的工作环境。

4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- 栅源电压范围为 ±20V,支持多种驱动电路配置,提供设计灵活性。

5. **开启电压 (Vth)**: 3V
- 开启电压为 3V,使其能够在多种栅源电压下可靠开启,适用于不同的驱动电压条件。

6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 38mΩ @ VGS=10V
- 该低导通电阻值降低了开关损耗,提高了整体系统的效率,特别是在高电流应用中。

7. **最大连续漏极电流 (ID)**: 30A
- 支持最大 30A 的漏极电流,能够处理高功率负载,适合大电流应用场景。

8. **技术**: Trench
- 采用 Trench 技术,优化了导电性能,减少了开关损耗,提升了整体的电能转换效率。

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **工业电源和开关电源**:
- HAT2187WP-VB 非常适合用于工业电源和开关电源的高压开关组件。其 200V 的漏源极电压和低导通电阻特性能够在这些应用中提供高效的能量转换和开关性能,确保系统的稳定性和高效能。

2. **电机驱动**:
- 在电机驱动应用中,该 MOSFET 的高电流处理能力使其能够有效驱动工业电机,尤其是在需要高效、可靠的高压驱动电路中。它的高电压特性允许在更广泛的电压范围内运行,适应各种电机负载。

3. **电池管理系统**:
- HAT2187WP-VB 还可以应用于电池管理系统中,用于高压电池组的开关和保护电路。其高压和高电流能力确保了电池系统的安全性和效率,同时降低了能量损耗,延长了电池寿命。

4. **光伏逆变器和能源管理**:
- 由于其优越的高压特性和低导通损耗,HAT2187WP-VB 是光伏逆变器和其他能源管理系统中的理想选择。它能够在这些应用中提供高效的能量传递和转换,帮助优化系统的整体效率。

HAT2187WP-VB 的高电压处理能力、低导通电阻以及高电流容量,使其成为需要高可靠性、高效率的电力电子和工业应用的首选器件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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