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HAT2179RJ-VB 产品详细

产品简介:

HAT2179RJ-VB MOSFET 产品简介

HAT2179RJ-VB是一款高耐压的单N沟道MOSFET,采用SOP8封装,适用于需要处理高电压的应用。该器件采用平面(Plannar)工艺技术,能够在高达650V的漏极-源极电压下工作,同时提供良好的开关特性。尽管其导通电阻较高,HAT2179RJ-VB依然能够在高压电路中提供可靠的性能。此MOSFET非常适合用于高电压驱动、开关电源及工业控制等应用中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 650V 3.5V 4A 2400mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 650V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
HAT2179RJ-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2400mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术类型**: 平面(Plannar)

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **高压电源转换器**:HAT2179RJ-VB 的高耐压特性使其非常适用于高压电源转换器,尤其是在需要稳定高效转换高压到低压的应用中。它在开关电源和工业电源供应中表现出色,通过在高电压下的高效开关操作来减少功耗并提高系统的整体效率。

2. **电机驱动器和工业控制**:HAT2179RJ-VB能够在高压电机驱动和工业控制系统中发挥作用。其高VDS值使其适合于驱动高压负载,如工业电机、泵和阀门控制。这款MOSFET能够在苛刻的工业环境中提供可靠的开关性能,确保系统的安全性和稳定性。

3. **照明和LED驱动器**:HAT2179RJ-VB也适用于高压LED驱动器和照明控制系统。在这些应用中,MOSFET需要在高电压下稳定工作,并且提供精确的电流控制,以确保LED灯具的长寿命和高效率运行。HAT2179RJ-VB在高压LED驱动和照明控制中的应用,能够帮助提高系统的可靠性和能源利用效率。

这些特性使得HAT2179RJ-VB在要求高耐压和可靠性的电源、工业控制、以及照明应用中具备广泛的应用前景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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