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HAT2080RJ-VB 产品详细

产品简介:

HAT2080RJ-VB 产品简介

HAT2080RJ-VB是一款高电压N沟道功率MOSFET,采用SOP8封装。该器件具有200V的漏源电压(VDS)和20V的栅源电压(VGS),设计用于处理较高电压应用。HAT2080RJ-VB利用Trench技术提供了相对较高的导通电阻,但在高电压条件下仍能提供稳定的性能。该MOSFET的阈值电压为3V,漏极电流为3A,非常适合用于需要高电压保护的电路和系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 200V 3V 3A 260mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 200V 3V 3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 200V 3V 3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
HAT2080RJ-VB 详细参数说明

1. **封装形式**:SOP8
2. **配置**:单N沟道
3. **漏源电压(VDS)**:200V
4. **栅源电压(VGS)**:±20V
5. **阈值电压(Vth)**:3V
6. **导通电阻(RDS(ON))**:260mΩ @ VGS = 10V
7. **漏极电流(ID)**:3A
8. **技术类型**:Trench技术

领域和模块应用:

HAT2080RJ-VB 的应用领域和模块示例

HAT2080RJ-VB MOSFET适用于需要高电压耐受的应用场景,其主要应用包括:

1. **高电压开关电路**:由于HAT2080RJ-VB具有高达200V的漏源电压,其非常适合用于高电压开关电路中,例如在开关电源或功率逆变器中。这使得它在电力电子设备中能够稳定控制和切换高电压负载。

2. **电源管理系统**:在需要管理较高电压的电源系统中,如电池管理系统和大功率电源模块,HAT2080RJ-VB能够有效地进行电流开关,同时承受较高的电压,从而提供稳定的电源控制。

3. **电气保护**:该MOSFET可以用于高电压保护电路中,比如过压保护和电流限制电路,以保护敏感组件免受电压过高的损害。它的高电压承受能力和稳定性使其适用于这些关键保护应用。

通过这些应用示例,可以看出HAT2080RJ-VB MOSFET在处理高电压环境中的电子设备和电源管理系统中具有重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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