HAT1128R-VB - VBsemi MOS管制造商

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HAT1128R-VB MOSFET 产品简介

HAT1128R-VB 是一款采用 SOP8 封装的单 P 沟道 MOSFET，专为高电流和高效开关应用设计。它支持 -30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，并采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力。该 MOSFET 适用于需要高功率密度和高开关效率的各种电子设备和电路。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-13.5A			11mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-13.5A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-2.5V	-13.5A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-P

HAT1128R-VB MOSFET 参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **沟道配置**: 单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 15mΩ @ VGS=4.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -13.5A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用：

HAT1128R-VB MOSFET 应用领域和模块示例

HAT1128R-VB 的高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合高功率密度和小型化设计的应用。在开关电源 (SMPS) 中，它可以作为高效的开关元件，减少功率损耗并提高系统效率。在电池管理系统中，该 MOSFET 可以用于电池的负极开关控制，确保高效且安全的充放电操作。在汽车电子系统中，例如电动汽车的电机控制和功率分配模块，HAT1128R-VB 的高电流处理能力和优异的开关性能提供了可靠的电流管理。在高频开关应用中，如开关调节器和功率管理集成电路 (PMIC)，它能够实现快速开关和高效性能，满足严苛的电路要求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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