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HAT1128RJ-VB 产品详细

产品简介:

HAT1128RJ-VB MOSFET 产品简介

HAT1128RJ-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装,设计旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。该器件使用 Trench 技术,具有非常低的导通电阻和高电流处理能力,适合于各种需要高效能开关和电源管理的应用场合。HAT1128RJ-VB 的优异特性使其在小型化和高密度电子设计中表现突出。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
HAT1128RJ-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装**: SOP8
- **配置**: 单一 P-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -13.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

HAT1128RJ-VB MOSFET 应用领域和模块示例

1. **电源管理模块**: HAT1128RJ-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于电源管理模块,特别是在需要高效率和低功耗的应用中。它可以有效地降低功耗和热量生成,提高系统的整体效率和稳定性。

2. **DC-DC 转换器**: 在 DC-DC 转换器中,HAT1128RJ-VB 提供了优异的开关性能和低导通电阻,有助于提高转换器的效率。特别适用于需要高开关频率和大电流处理的应用环境。

3. **负载开关**: 由于其高电流承载能力和低导通电阻,HAT1128RJ-VB 非常适合用于负载开关。它能够有效地控制负载开关,确保负载开关操作的可靠性和效率,特别是在便携式和小型设备中。

4. **电池保护电路**: HAT1128RJ-VB 也可用于电池保护电路,其高电流能力和低导通电阻帮助确保电池的安全和长寿命。在电池过充、过放电保护等场合中,该 MOSFET 可以有效地保护电池免受损坏。

通过这些应用示例,HAT1128RJ-VB MOSFET 展示了其在电源管理、开关控制和保护电路中的多种应用优势,满足了现代电子设计对高效能和高可靠性的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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