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HAT1123R-VB 产品详细

产品简介:

HAT1123R-VB 产品简介

HAT1123R-VB 是一款高性能P沟道MOSFET,封装形式为SOP8。此器件设计用于高效的负电压应用,具备-30V的漏源极电压 (VDS) 和±20V的栅源极电压 (VGS)。具有-1.7V的阈值电压 (Vth),确保在较低栅电压下能够可靠开启。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术,提供了低导通电阻的特性:在VGS=4.5V时为56mΩ,在VGS=10V时为33mΩ,且最大漏极电流可达-5.8A。这使得HAT1123R-VB适用于各种高效能和高可靠性的电源管理及开关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A 33mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
HAT1123R-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **沟道配置**: 单极性P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 56mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -5.8A
- **技术**: Trench (沟槽技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块

HAT1123R-VB MOSFET在多个领域和模块中有广泛的应用,主要包括:

1. **电源管理**: 在DC-DC转换器和电源开关模块中,HAT1123R-VB能够有效地管理负载开关,降低导通损耗,从而提高系统的整体效率和稳定性。

2. **负载开关**: 该MOSFET广泛应用于消费电子和便携设备的负载开关,帮助控制电源的开启和关闭,同时降低功耗和提高设备的响应速度。

3. **电池保护**: 在电池管理系统中,HAT1123R-VB可以用于电池保护电路,防止过流和过压情况,确保电池的安全和长寿命。

4. **汽车电子**: 该MOSFET在汽车电子系统中用于电池保护、灯光控制和电动助力转向系统中,提供高效的开关控制和可靠的性能。

5. **电动工具**: 在电动工具和家用电器中,HAT1123R-VB用于电机控制和其他负载管理,确保高效能和稳定操作。

这些应用例子展示了HAT1123R-VB在负电压环境下的高效能和可靠性,使其成为各种高效电源和负载开关系统中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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