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HAT1026R-VB 产品详细

产品简介:

HAT1026R-VB 产品简介

HAT1026R-VB 是一款高效能P沟道MOSFET,封装形式为SOP8,设计用于要求高性能和高可靠性的电子应用。它具有-30V的漏源极电压 (VDS) 和±20V的栅源极电压 (VGS),专为负电压环境下的应用而优化。该MOSFET的阈值电压 (Vth) 为-1.7V,确保在低栅电压下能够稳定开关。采用先进的Trench沟槽技术,HAT1026R-VB 提供56mΩ的导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V 和33mΩ @ VGS=10V,同时最大漏极电流可达-5.8A。其高效能特性使其在各种电源开关和电流控制应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A 33mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -5.8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
HAT1026R-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **沟道配置**: 单极性P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 56mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -5.8A
- **技术**: Trench (沟槽技术)

领域和模块应用:

应用领域和模块

HAT1026R-VB MOSFET 在多个领域和模块中发挥着关键作用,主要应用包括:

1. **电源开关**: 在DC-DC转换器和电源管理模块中,该P沟道MOSFET用于开关负载,以实现高效的功率转换和稳定的电压输出。其低导通电阻能够减少能量损耗,提高系统效率。

2. **负载开关**: 在各种负载开关应用中,如便携式设备和消费电子产品,HAT1026R-VB能够有效控制负载的开关状态,提供可靠的开关性能和电流控制。

3. **电池管理系统**: 在电池管理系统中,HAT1026R-VB用于电池保护电路中,确保电池的充电和放电过程中的安全性和稳定性,防止过流和过压情况发生。

4. **汽车电子**: 该MOSFET在汽车电子中用于各种开关控制任务,如电池保护、LED灯控制和电机驱动等,提供高效能和可靠性。

5. **电动工具和家电**: 在电动工具和家电产品中,HAT1026R-VB用于控制电机和其他负载,帮助实现高效的能量管理和操作控制。

通过这些应用实例,HAT1026R-VB 展示了其在高效能电源控制和负载开关中的广泛适用性,成为各种电子设备中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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