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GE4435A-VB 产品详细

产品简介:

一、GE4435A-VB 产品简介

GE4435A-VB是一款单通道P沟道MOSFET,采用SOP8封装,专为需要低电压、高效率转换的应用而设计。该器件的最大漏源极电压为-30V,最大连续漏极电流为-9A,具有极低的导通电阻,确保了高效的电力传输和低功耗。其采用先进的Trench技术,进一步优化了导通性能,使其在开关电路、负载开关以及电源管理等领域表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A 18mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -1.7V -9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-P
二、GE4435A-VB 详细参数说明

1. **封装类型**: SOP8
2. **配置**: 单P-Channel
3. **漏源极电压 (VDS)**: -30V
4. **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
5. **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
7. **漏极电流 (ID)**: -9A
8. **技术**: Trench(沟槽型)
9. **特点**: 低导通电阻、高效能、适用于低压应用场景。

领域和模块应用:

三、GE4435A-VB 应用领域及模块举例

GE4435A-VB MOSFET 凭借其优秀的电气性能和低导通电阻,适用于以下领域和模块:

1. **负载开关应用**: GE4435A-VB 非常适合用于负载开关中,尤其是在电源控制模块中。其低导通电阻确保了在开关操作中的低功耗,使其在便携式设备、电池供电系统中表现优越,延长了设备的电池寿命。

2. **DC-DC转换器**: 该MOSFET在DC-DC转换器中也有广泛应用,尤其是在低压降的同步整流器中。其低导通电阻和高电流承载能力能够提高转换效率,降低功率损耗,因此适用于手机、平板电脑等消费电子产品中的电源模块。

3. **电源管理系统**: 在电源管理系统中,GE4435A-VB 可用于控制电源路径、管理功率分配。其优异的开关性能有助于优化系统的电源效率,特别适合于要求高效能和可靠性的场景,如服务器、电源适配器等。

4. **反向电流保护**: 在一些需要防止反向电流的应用中,如太阳能充电控制器和便携式电源系统,GE4435A-VB 能够有效防止电流倒灌,保护电路安全,确保系统的稳定运行。

GE4435A-VB MOSFET以其卓越的低压性能和高效能,非常适合用于要求低功耗、高效能的应用领域,为各种电子设备提供了可靠的功率控制和管理方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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