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FW306-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

一、FW306-TL-E-VB产品简介
FW306-TL-E-VB是一款双N+P沟道MOSFET,封装为SOP8,适合于需要高效、双向电流控制的应用。其设计支持±30V的漏源电压(VDS),具备±20V的栅源电压(VGS)。该MOSFET具有N沟道和P沟道的配置,分别提供了1.6V和-1.7V的阈值电压(Vth),使其能够在较低的驱动电压下实现良好的开关性能。FW306-TL-E-VB采用Trench技术,提供了出色的导通电阻性能,其中N沟道和P沟道在VGS为4.5V时的导通电阻分别为24mΩ和50mΩ,在VGS为10V时的导通电阻分别为18mΩ和40mΩ。其最大漏极电流为±8A,适用于需要双向电流控制的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 18/40mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
二、FW306-TL-E-VB详细参数说明
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双N+P沟道
- **漏源电压(VDS)**: ±30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**:
- N沟道: 1.6V
- P沟道: -1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- N沟道:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 18mΩ @ VGS=10V
- P沟道:
- 50mΩ @ VGS=4.5V
- 40mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: ±8A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

三、适用领域和模块举例
FW306-TL-E-VB MOSFET由于其双N+P配置、低导通电阻和宽范围的电压特性,在多种应用中具有重要作用。以下是几个典型应用领域:

1. **H桥电机驱动**:
- 在H桥电机驱动电路中,FW306-TL-E-VB可以作为开关元件来控制电机的方向和速度。其双N+P沟道配置允许对电机进行正向和反向驱动,同时低导通电阻帮助降低功耗和提高驱动效率。

2. **DC-DC转换器**:
- 在DC-DC转换器中,FW306-TL-E-VB可以用作同步整流器或开关器件。其低RDS(ON)特性减少了功率损耗,提高了转换效率,使得电源更稳定高效。

3. **电池保护电路**:
- 该MOSFET在电池保护电路中能够有效控制电流的双向流动,确保在充电和放电过程中的安全性。其双向电流控制特性适用于电池过充、过放保护,避免损坏电池。

4. **开关电源**:
- 在开关电源设计中,FW306-TL-E-VB MOSFET可以用于高频开关应用,其低导通电阻和高电流能力使其能够处理高功率负载,提高电源的整体效率和可靠性。

5. **高效电流控制模块**:
- 在需要精确电流控制的模块中,如电源管理系统和负载开关,FW306-TL-E-VB的双N+P配置提供了灵活的电流路径控制和高效的开关性能,适用于各种高效能电子设备。

FW306-TL-E-VB通过其低导通电阻和双N+P配置,满足了多种需要双向电流控制的应用场景,特别是在电机驱动、电池保护、开关电源等领域表现优异。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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