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FW237-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

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FW237-TL-E-VB 是一款高效能的单N-Channel MOSFET,采用SOP8封装,专为低电压和高电流应用而设计。此MOSFET基于Trench技术制造,具有极低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于需要快速开关和高效能的电源管理及开关电路。其紧凑的设计使其非常适合在空间受限的应用中使用,提供稳定且可靠的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Single-N
详细参数说明

- **型号**: FW237-TL-E-VB
- **封装形式**: SOP8
- **配置**: 单N-Channel
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块

FW237-TL-E-VB MOSFET 在低电压和高电流的应用中表现突出,特别适合用于电源管理和高效开关电路。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于DC-DC转换器、稳压器、电池管理系统,以及负载开关电路。在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,这款MOSFET能够高效管理电流,延长设备电池寿命,并提高电源系统的整体效率。此外,它还适用于汽车电子系统中的电源模块和高效能电源供应器中,确保可靠的性能和低功耗操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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