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FW236-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

一、FW236-TL-E-VB产品简介
FW236-TL-E-VB是一款双N沟道MOSFET,采用SOP8封装,适用于需要高效低压控制的应用。其漏源电压(VDS)为20V,栅源电压(VGS)为±12V,具有低阈值电压(Vth),范围在0.5V至1.5V之间,使其能够在较低的驱动电压下实现快速开关。FW236-TL-E-VB利用先进的Trench技术,提供了极低的导通电阻,在VGS为4.5V时为26mΩ,在VGS为10V时为19mΩ,并且其最大漏极电流(ID)为7.1A,适合多种便携式和低功耗设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
二、FW236-TL-E-VB详细参数说明
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 20V
- **栅源电压(VGS)**: ±12V
- **阈值电压(Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 19mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 7.1A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

三、适用领域和模块举例
FW236-TL-E-VB MOSFET的设计使其在各种电子设备中均有广泛的应用,特别是在便携式和低功耗设备中。以下是一些典型的应用领域:

1. **移动设备电源管理**:
- 在移动设备中,如智能手机和平板电脑,FW236-TL-E-VB可用于电源管理模块。其低导通电阻和低阈值电压使得它能够有效地管理电池电源,延长设备的电池续航时间。

2. **便携式充电器**:
- 便携式充电器通常要求高效的电源转换和低功耗运行。FW236-TL-E-VB在这些应用中可以作为同步整流器或开关器件,其低RDS(ON)能够减少功率损耗,提高充电器的整体效率。

3. **电池保护电路**:
- FW236-TL-E-VB适用于锂离子电池的保护电路。它可以通过低导通电阻来确保电池在充电和放电过程中具有低功耗和高效的电流控制,保护电池免受过充、过放和短路等问题的影响。

4. **LED驱动器**:
- 在低电压LED驱动电路中,FW236-TL-E-VB可以作为开关元件,用于控制LED的亮度和功耗。其高效的开关特性确保LED的稳定运行,提供一致的亮度输出。

5. **无线通信设备**:
- 在无线通信设备中,FW236-TL-E-VB MOSFET可用于功率放大器和其他关键电源管理模块。其低Vth和RDS(ON)特性使其能够在低压条件下提供高效能和快速响应,适合用于各种信号处理和功率放大应用。

FW236-TL-E-VB MOSFET凭借其高效的开关特性和低功耗表现,非常适合移动设备、电源管理模块、便携式充电器、电池保护电路、LED驱动器以及无线通信设备等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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