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FW231A-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

一、FW231A-TL-E-VB 产品简介

FW231A-TL-E-VB 是一款采用 SOP8 封装的双 N 沟道 MOSFET。该器件专为低电压应用设计,具有极低的导通电阻和高电流处理能力。其最大漏源电压(VDS)为 20V,适合用于需要高效能和低功耗的电路中。凭借宽阈值电压范围(0.5~1.5V)以及较低的导通电阻(RDS(ON)),FW231A-TL-E-VB 在开关和驱动电路中表现出色,广泛应用于电源管理、负载开关及其他电子设备的关键电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 10A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+N
二、FW231A-TL-E-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 20V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: 沟槽技术

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

FW231A-TL-E-VB 凭借其低导通电阻和高电流处理能力,非常适用于以下应用领域和模块:

1. **便携式设备电源管理**: 在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理电路中,FW231A-TL-E-VB 可作为关键开关元件,确保高效的电能转换和低功耗操作,从而延长设备电池寿命。

2. **电池保护和管理系统**: 适用于电池组的充放电管理,FW231A-TL-E-VB 能够通过其低导通电阻提供高效电流通道,保护电池不受过流和短路的影响,提高系统的安全性。

3. **负载开关**: 在电机控制、小型负载驱动以及 LED 驱动电路中,FW231A-TL-E-VB 能够提供高效能的开关功能,确保负载的稳定运行,并减少功耗和发热量。

4. **DC-DC 转换器**: 在低压 DC-DC 转换器中,FW231A-TL-E-VB 的快速开关速度和低损耗特性使其能够提高转换效率,适用于需要高效电能转换的应用,如通信设备和网络设备。

5. **信号处理和切换电路**: 在信号处理和切换电路中,该器件能够提供精确的信号开关控制,确保信号的完整性和传输效率,广泛应用于音频处理、视频信号切换等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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